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Transistor encapsulados plásticos dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Transistor encapsulados plásticos dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :D882S
VCBO :40V
VCEO :30V
VEBO :6V
Product name :silicon semiconductor triode type
IC :3A
Power Mosfet Transistor :TO-92 Plastic-Encapsulate
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TO-92 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882S (NPN)

 

CARACTERÍSTICA

 

Dissipação de poder

 

 

MARCAÇÃO

Código de D882=Device

O sólido dot=Green o dispositivo composto moldando, se nenhum, o dispositivo normal

Z=Rank do hFE, XXX=Code

 

 

Transistor encapsulados plásticos dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
D882S TO-92 Volume 1000pcs/Bag
D882S-TA TO-92 Fita 2000pcs/Box


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

Símbolo Medidor de Para Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 30 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 3 A
PD Dissipação de poder do coletor 625 mW
R0 JA O Thermal resiste a junção da ROM do ance f a ambiental 200 Š/W
Tj Temperatura de junção 150 Š
Tstg Temperatura do orage do St -55 ~+150 Š

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC = 100µA, ISTO É =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC = 10mA, IB=0 30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100µA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 40V, ISTO É =0     1 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 30V, IB=0     10 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 6V, IC=0     1 μA
Ganho atual de C.C. hFE VCE=2V, IC= 1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V
Frequência da transição

 

fT

VCE= 5V, Ic=0.1A

f =10MHz

 

50

80  

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 

 

Características típicas

 

 

Transistor encapsulados plásticos dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPNTransistor encapsulados plásticos dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPNTransistor encapsulados plásticos dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPNTransistor encapsulados plásticos dos transistor de poder TO-92 da ponta de D882S NPN

 

 

 

 

 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 TIPO 0,050 TIPOS
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

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