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Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :3DD13005HD55
Dissipação de poder do coletor :1.5W
Temperatura de junção :℃ 150
VCBO :600v
Nome do produto :tipo do triode do semicondutor
Corrente de coletor :3.5A
Tipo :Transistor do Triode
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TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor 3DD13005HD55 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder de Ÿ

Boa alta temperatura de Ÿ

Tensão de saturação de Ÿ baixa

Interruptor de alta velocidade de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

Código do logotipo 13005HD55=Device de JCET

 

Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
3DD13005HD55 TO-126 Volume 200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 800 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 450 V
VEBO Tensão da Emissor-base 9 V
MIMC Corrente de coletor 3,5 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,5 W
RθJA Resistência térmica da junção a ambiental 83,3 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=1mA, ISTO É =0 800     V
tensão de divisão do Coletor-emissor V (BR) CEO* MimC=10mA, IB=0 450     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 1mA, IC=0 9     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=700V, ISTO É =0     100 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=450V, IB=0     100 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=9V, IC=0     100 μA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) * VCE=5V, IC=1A 10   40  
hFE (2) * VCE=5V, IC=5mA 10      
hFE (3) * VCE=5V, IC=2A 5      

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

VCE (sentado) 1 MimC=1A, IB=200mA     0,3 V
VCE (sentado) 2 MimC=2A, IB=500mA     0,6 V

 

Tensão de saturação do emissor de base

VBE (sentado) 1 MimC=2A, IB=500mA     1,2 V
VBE (sentado) 2 MimC=500mA, IB=100mA     1 V
tensão dianteira do Emissor-coletor ECDE VF MIMC=2A     2 V
Frequência da transição fT VCE=10V, IC=500mA 5     Megahertz
Tempo de armazenamento ts MimC=250mA (UI9600)     5 µs

 

 


Características típicas

 

 Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600VTipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V
 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Tipo do Triode do semicondutor dos transistor de poder VCBO da ponta 3DD13005HD55 600V

 

 

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