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TO-251-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882 (NPN)
Dissipação de poder
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| VCBO | Tensão da Coletor-base | 40 | V |
| VCEO | Tensão do Coletor-emissor | 30 | V |
| VEBO | Tensão da Emissor-base | 6 | V |
| MIMC | Corrente de coletor - contínua | 3 | A |
| PC | Dissipação de poder do coletor | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura de junção | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š salvo disposição em contrário
| Parâmetro | Símbolo | Condições de teste | Minuto | Tipo | Máximo | Unidade |
| tensão de divisão da Coletor-base | V (BR) CBO | MIMC = 100μA, ISTO É =0 | 40 | V | ||
| tensão de divisão do Coletor-emissor | (BR) CEO V | MimC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| tensão de divisão da Emissor-base | V (BR) EBO | ISTO É = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| Corrente de interrupção de coletor | ICBO | VCB= 40 V, ISTO É =0 | 1 | µA | ||
| Corrente de interrupção de coletor | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| Corrente da interrupção do emissor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE (sentado) | MimC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tensão de saturação do emissor de base | VBE (sentado) | MimC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
|
Frequência da transição |
fT |
VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
Megahertz |
| Grau | R | O | Y | GR |
| Escala | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Características típicas
