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Circuito do transistor de D882 NPN, tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Circuito do transistor de D882 NPN, tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :D882
Collector-Base VoltageCollector-Base Voltage :40v
Collector-Emitter Voltage :30v
Emitter-Base Voltage :6V
Power mosfet transistor :TO-126 Plastic-Encapsulate
Material :Silicon
Type :Triode Transistor
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TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor D882 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 


Dissipação de poder

 

 

 

MARCAÇÃO

 

Código de D882=Device

Ponto contínuo = verde que molda o dispositivo composto, se nenhum, o dispositivo normal XX=Code

Circuito do transistor de D882 NPN, tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder de NPN

 

 

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
D882 TO-126 Volume 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube

 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)
 

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 30 V
VEBO Tensão da Emissor-base 6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 3 A
PC Dissipação de poder do coletor 1,25 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55-150

 
 
 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC = 100μA, ISTO É =0 40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC = 10mA, IB=0 30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 100μA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= 40 V, ISTO É =0     1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

Megahertz

 
  

CLASSIFICAÇÃO DEFEde h(2)

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Características típicas

 

 
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 Dimensões do esboço do pacote
 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 
 
Circuito do transistor de D882 NPN, tensão 30v do emissor do coletor do transistor de poder de NPN
 
 

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