Name: Corrente de coletor material do silicone do transistor de poder do silicone 2SD965A 600 miliampères
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

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Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :2SD965A

Collector-Base Voltage :40V

Collector Current -Continuous :5A

Tstg :-55～+150℃

Material :Silicon

Collector Current :600 mA

Storage Temperature :-55～+150℃

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SOT-89-3L Plástico-encapsulam os transistor 2SD965A 2SD965A

CARACTERÍSTICA

Amplificador audio
Unidade instantânea de câmera
Circuito do interruptor

Marcação: D965A

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
VCBO	Tensão da Coletor-base	-60	V
VCEO	Tensão do Coletor-emissor	-60	V
VEBO	Tensão da Emissor-base	-4	V
IC	Corrente de coletor	-500	miliampère
PC	Dissipação de poder do coletor	225	mW
RΘJA	Resistência térmica da junção a ambiental	556	℃/W
Tj	Temperatura de junção	150	℃
Tstg	Temperatura de armazenamento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Parâmetro	Símbolo	Condições de teste	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
tensão de divisão da Coletor-base	V (BR) CBO	Mim_C=0.1mA, ISTO É =0	40			V
tensão de divisão do Coletor-emissor	(BR) CEO V	Mim_C= 1mA. MIM_B=0	30			V
tensão de divisão da Emissor-base	V (BR) EBO	ISTO É = 10μA, I_C=0	7			V
Corrente de interrupção de coletor	ICBO	V_CB= 10V, ISTO É =0			0,1	μA
Corrente da interrupção do emissor	IEBO	V_EB=7V, I_C=0			0,1	μA
Ganho atual de C.C.	hFE (1)	V_CE= 2 V, I_C=1mA		200
	hFE (2)	V_CE= 2V, I_C = 500mA	230		800
	hFE (3)	V_CE= 2V, I_C =2A	150
tensão de saturação do Coletor-emissor	VCE (sentado)	MIM_C=3A, I_B=0.1A			1	V
Frequência da transição	f_T	V_CE=6V, I_C=50mA		150		Megahertz
Para fora capacidade	Espiga	V_CB=20 V, ISTO É =0, f=1MH_Z			50	PF

CLASSIFICAÇÃO DE_FEde h₍₂₎

Grau	Q	R	S
Escala	230-380	340-600	560-800

Dimensões do esboço do pacote

Símbolo	Dimensões nos milímetros		Dimensões nas polegadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	0,900	1,150	0,035	0,045
A1	0,000	0,100	0,000	0,004
A2	0,900	1,050	0,035	0,041
b	0,300	0,500	0,012	0,020
c	0,080	0,150	0,003	0,006
D	2,800	3,000	0,110	0,118
E	1,200	1,400	0,047	0,055
E1	2,250	2,550	0,089	0,100
e	0,950 TIPOS		0,037 TIPOS
e1	1,800	2,000	0,071	0,079
L	0,550 REFERÊNCIAS		0,022 REFERÊNCIAS
L1	0,300	0,500	0,012	0,020
θ	0°	8°	0°	8°

Fita e carretel de SOT-89-3L

Etiquetas de Produtos:

silicon power ssd

igbt semiconductor

smd power mosfet

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