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Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :B772
Tensão da Coletor-Base :-40v
Temperatura de junção :℃ 150
tensão da Emissor-base :-5V
Aplicação :a fonte de alimentação móvel conduziu o motorista/controlo do motor
A temperatura de armazenamento :-55~150 ℃
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor B772 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 

Interruptor de baixa velocidade

 

Marcação: B772

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -30 V
VEBO Tensão da Emissor-base -6 V
MIMC Corrente de coletor - contínua -3 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,5 W
RӨJA Resistência térmica, junção a ambiental 250 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=-100μA, ISTO É =0 -40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MIMC= -10MA, IB=0 -30     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = -100ΜA, IC=0 -6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB= -40V, ISTO É =0     -1 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Ganho atual de C.C. hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MIMC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Frequência da transição

 

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

   

 

Megahertz

 
 
 

Características típicas

 

 

Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

 

 


 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERÊNCIA. 0,061 REFERÊNCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 

 

 

 

CLASSIFICAÇÃO DOFEde h

 

Grau R O Y GR
Escala 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 Características típicas

 

Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN

Do emissor de alta tensão do transistor de interruptor de B772 tensão baixa -5V NPN
 

 
 
 

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