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Manufacturer from China
Dos Estados-activa
6 Anos
Casa / Produtos / Transistor de poder do silicone /

MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MMBTA56
Junction Temperature :150 ℃
Collector Power Dissipation :225mW
FEATURE :General Purpose Amplifier Applications
Material :Silicon
Collector Current :600 mA
Storage Temperature :-55~+150℃
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SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MMBTA56 (NPN)

 

CARACTERÍSTICA
 

l aplicações de uso geral do amplificador

Marcação: 2GM

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -80 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -80 V
VEBO Tensão da Emissor-base -4 V
IC Corrente de coletor -500 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 225 mW
RΘJA Resistência térmica da junção a ambiental 555 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -80     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -80     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=-80V, IE=0     -0,1 µA
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=-60V, IB=0     -1 µA
tensão de divisão da Emissor-base IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 µA
Ganho atual de C.C. hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) IC=-100mA, IB=-10mA     -0,25 V
Tensão do emissor de base VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1,2 V
Frequência da transição fT VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     Megahertz

 
 
 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERÊNCIAS 0,022 REFERÊNCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 

 

 

Características típicas

MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN

MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN

MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN

MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN

 
 

MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN
MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN
 
 MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de comutação rápido NPN
 
 

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