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A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :A42
Collector-Base Voltage :310V
Emitter-Base Voltage :5V
Tstg :-55~+150℃
Material :Silicon
Collector Current :600 mA
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SOT-89-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor A42 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor

Alta tensão da divisão

 

Marcação: D965A

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 310 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 305 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 200 miliampère
ICM Corrente de coletor - pulsada 500 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 500 mW
RθJA Resistência térmica da junção a ambiental 250 ℃/W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MIMC=100ΜA, ISTO É =0 310     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=1mA, IB=0 305     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =100ΜA, IC=0 5     V

 

Corrente de interrupção de coletor

ICBO VCB=200V, ISTO É =0     0,25 µA
 

 

ICEX

VCE=100V, VX=5V     5 µA
    VCE=300V, VX=5V     10 µA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
  hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=20mA, IB=2mA     0,2 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=20mA, IB=2mA     0,9 V
Frequência da transição fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     Megahertz

 

 

 
 

 Características típicas

 

A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN

A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN

A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN

 

 

 

 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 REFERÊNCIA. 0,061 REFERÊNCIAS.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 TIPO. 0,060 TIPOS.
e1 3,000 TIPO. 0,118 TIPOS.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN
 

 

Disposição sugerida SOT-89-3L da almofada

 

A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN
 
 
Fita e carretel de SOT-89-3L
A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN
A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN
A42 transistor de poder do silicone NPN, corrente alta do transistor de poder de NPN
 
 
 

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