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Dos Estados-activa
6 Anos
Casa / Produtos / Transistor de poder do silicone /

Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN 

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN 

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :MMBT4403
FEATURE :Low Leakage
Power mosfet transistor :SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Product ID :MMBT4403
Type :Switching Diodesod
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SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MMBT4403 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

 Transistor de interruptor

Marcação: 2T

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -40 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -40 V
VEBO Tensão da Emissor-base -5 V
IC Corrente de coletor -600 miliampère
PC Dissipação de poder do coletor 300 mW
RΘJA Resistência térmica da junção a ambiental 417 ℃/W
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=-100μA, ISTO É =0 -40     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=-1mA, IB=0 -40     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =-100ΜA, IC=0 -5     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=-35V, ISTO É =0     -0,1 μA
Corrente de interrupção de coletor ICEX VCE=-35V, VBE=0.4V     -0,1 μA
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 μA

 

 

 

Ganho atual de C.C.

hFE1 VCE=-1V, IC=-0.1mA 30      
  hFE2 VCE=-1V, IC=-1mA 60      
  hFE3 VCE=-1V, IC=-10mA 100      
  hFE4 VCE=-2V, IC=-150mA 100   300  
  hFE5 VCE=-2V, IC=-500mA 20      

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

 

VCE (sentado)

MimC=-150mA, IB=-15mA     -0,4 V
    MimC=-500mA, IB=-50mA     -0,75 V

 

Tensão de saturação do emissor de base

 

VBE (sentado)

MimC=-150mA, IB=-15mA     -0,95 V
    MimC=-500mA, IB=-50mA     -1,3 V
Frequência da transição fT VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz 200     Megahertz
Tempo de atraso td

VCC=-30V, VBE (fora) =-0.5V

IC=-150mA, IB1=-15mA

    15 ns
Tempo de elevação tr       20 ns
Tempo de armazenamento ts

VCC=-30V, IC=-150mA

IB1=IB2=-15mA

    225 ns
Tempo de queda tf       60 ns

 
 
 
 
 
Characterisitics típico  
 Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN 

Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN 

Elevado desempenho de alta velocidade do transistor de interruptor de MMBT4403 NPN 
 

 

 

 

 
 
 
 Dimensões do esboço do pacote
 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 TIPOS 0,037 TIPOS
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 REFERÊNCIAS 0,022 REFERÊNCIAS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
 
 
 
 

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