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Casa / Produtos / Transistor de poder do silicone /

Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :FMMT491
Type :Silicon Power Transistor
FEATURE :Low equivalent on-resistance
Collector-Emitter Voltage :60v
Storage Temperature :-55~+150℃
Collector Power Dissipation :250mW
Peak Pulse Current :2A
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SOT-23 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor FMMT491 (NPN)
 
 

CARACTERÍSTICA
 

Baixa em-resistência equivalente

 

Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência

Marcação: 491

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

SímboloParâmetroValorUnidade
VCBOTensão da Coletor-base80V
VCEOTensão do Coletor-emissor60V
VEBOTensão da Emissor-base5V
ICCorrente de coletor1A
ICMCorrente máxima do pulso2A
PCDissipação de poder do coletor250mW
RΘJAResistência térmica da junção a ambiental500℃/W
TjTemperatura de junção150
TstgTemperatura de armazenamento-55~+150

 
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
 

ParâmetroSímboloCondições de testeMinutoTipoMáximoUnidade
tensão de divisão da Coletor-baseV (BR) CBOMimC=100μA, ISTO É =080  V
tensão de divisão do Coletor-emissor(BR) CEO V1MimC=10mA, IB=060  V
tensão de divisão da Emissor-baseV (BR) EBOISTO É =100ΜA, IC=05  V
Corrente de interrupção de coletorICBOVCB=60V, ISTO É =0  0,1μA
Corrente da interrupção do emissorIEBOVEB=4V, IC=0  0,1μA

 
 
 

Ganho atual de C.C.

hFE (1)VCE=5V, IC=1mA100   
 hFE (2) 1VCE=5V, IC=500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=5V, IC=1A80   
 hFE (4) 1VCE=5V, IC=2A30   

 

tensão de saturação do Coletor-emissor

VCE (sentado) 1 1MimC=500mA, IB=50mA  0,25V
 VCE (sentado) 2 1MimC=1A, IB=100mA  0,5V
Tensão de saturação do emissor de baseVBE (sentado) 1MimC=1A, IB=100mA  1,1V
Tensão do emissor de base

1

VBE

VCE=5V, IC=1A  1V
Frequência da transiçãofTVCE=10V, IC=50mA, f=100MHz150  Megahertz
Capacidade de saída do coletorEspigaVCB=10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Medido sob circunstâncias pulsadas, pulso width=300μs, dever cycle≤2%.
 
 
 
Characterisitics típico  
 
 
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência
 
 
 
 
 
 
 Dimensões do esboço do pacote
 

SímboloDimensões nos milímetrosDimensões nas polegadas
 MinutoMáximoMinutoMáximo
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 TIPOS0,037 TIPOS
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 REFERÊNCIAS0,022 REFERÊNCIAS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência
Equivalente de alta tensão do transistor de poder de FMMT491 NPN baixo na resistência
 
 
 
 































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