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Movimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Movimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY4266
Product name :Mosfet Power Transistor
Application :High Frequency Switching
Material :Silicon
VDS :60V
ID (at VGS=10V) :11A
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60V N-canal AlphaSGT HXY4266
 

 

Sumário do produto

 

VDS 60V
Identificação (em VGS=10V) 11A
RDS (SOBRE) (em VGS=10V) < 13.5mΩ
RDS (SOBRE) (em VGS=4.5V) < 18mΩ

 

 

 

Descrição geral

 

• Baixo RDS (SOBRE)
• Movimentação nivelada da porta da lógica
• Produto excelente da carga x RDS da porta (SOBRE) (FOM)
• RoHS e complacente Halogênio-livre

 

 

Aplicações

 

• Interruptor de alta frequência e correção síncrono

 

Movimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

 

 

Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)

 

Movimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

 

A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.

o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.

C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se

initialT =25°C.

D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.

F. Estas curvas são baseadas na impedância térmica junção-à-ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com

2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junção máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.

G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junção TJ (max) =125°C.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

 

 

 

Movimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60vMovimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60vMovimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60vMovimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60vMovimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60vMovimentação da porta do nível da lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

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