Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
7 Anos
Casa / Produtos / Mos Field Effect Transistor /

Identificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩ

Contate
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
Contate

Identificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩ

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY4406A
Product name :Mosfet Power Transistor
VDS :30v
ID (at VGS=10V) :13A
RDS(ON) (at VGS=10V) :< 11.5mΩ
Type :mosfet transistor
more
Contate

Add to Cart

Encontre vídeos semelhantes
Ver descrição do produto
60V N-canal AlphaSGT HXY4264
 

 

Sumário do produto

 

 

VDS 30V
Identificação (em VGS=10V) 13A
RDS (SOBRE) (em VGS=10V) < 11.5mΩ
RDS (SOBRE) (em VGS = 4.5V) < 15.5mΩ

 

 

 

Descrição geral

 

O HXY4406A usa o toprovide avançado RDS excelente da tecnologia da trincheira (SOBRE) com baixa carga da porta. Este dispositivo é apropriado para o interruptor lateral alto em aplicações andgeneral da finalidade de SMPS.

 

 

Identificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩ

 

 

 

Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)

Identificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩ

 

 

A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.

o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.

C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se

initialT =25°C.

D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.

F. Estas curvas são baseadas na impedância térmica junção-à-ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com

2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junção máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.

G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junção TJ (max) =125°C.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

 

Identificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩIdentificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩ
Identificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩIdentificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩIdentificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩ

Identificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩIdentificação 13A RDS de HXY4406A VDS 30V Mos Field Effect Transistor (SOBRE) < 11.5mΩ

Inquiry Cart 0