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Tipo interruptor de HXY4410 N da carga do transistor para aplicações portáteis

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Tipo interruptor de HXY4410 N da carga do transistor para aplicações portáteis

Pergunte o preço mais recente
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY4410
Product name :Mosfet Power Transistor
Junction temperature :150℃
Material :Silicon
Case :Tape/Tray/Reel
Type :mosfet transistor
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60V N-canal AlphaSGT HXY4264
 

 

Sumário do produto

 

 

VDS (v) = 30V

Mim = 18A

D

do RDS (SOBRE) < 11m (VGS = 10V)

RdodoDS(SOBRE) < 19m (VGS = 4.5V)

 

 

Descrição geral

 

A tecnologia avançada da trincheira dos usos HXY4410 a

forneça o RDS excelente (SOBRE), tiro-através da imunidade,

características de diodo do corpo e ultra-baixa porta

resistência. Este dispositivo é serido idealmente para o uso como a

baixo interruptor lateral no poder do núcleo do processador central do caderno

conversão.

 

 

 

Tipo interruptor de HXY4410 N da carga do transistor para aplicações portáteis

 

 

 

Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)

 

 

Tipo interruptor de HXY4410 N da carga do transistor para aplicações portáteis

A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.

o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.

B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.

C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se

initialT =25°C.

D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.

E. As características estáticas em figuras 1 6 são obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.

F. Estas curvas são baseadas na impedância térmica junção-à-ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com

2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junção máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.

G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junção TJ (max) =125°C.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

 

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