Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Sumário do produto
VDS (v) = 30V
Mim = 18A
D
Ω do RDS (SOBRE) < 11m (VGS = 10V)
Rdo ΩdoDS(SOBRE) < 19m (VGS = 4.5V)
Descrição geral
A tecnologia avançada da trincheira dos usos HXY4410 a
forneça o RDS excelente (SOBRE), tiro-através da imunidade,
características de diodo do corpo e ultra-baixa porta
resistência. Este dispositivo é serido idealmente para o uso como a
baixo interruptor lateral no poder do núcleo do processador central do caderno
conversão.
Características elétricas (T =25°C salvo disposição em contrário)
A. O valor doθJAde R é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com 2oz. Revista, em um ambiente de ar imóvel com o TA =25°C.
o valor em toda a aplicação dada depende do projeto específico da placa do usuário.
B. A dissipação de poder PD é baseada em TJ(max) =150°C, usando a resistência térmica junção-à-ambiental do ≤ 10s.
C. a avaliação repetitiva, largura de pulso limitada por avaliações da temperatura de junção TJ(max) =150°C. é baseada em de baixa frequência e em tempos de utilização para manter-se
initialT =25°C.
D. OθJAde R é a soma da impedância térmica da junção para conduzir oθJLde R e a conduzi-la a ambiental.
E. As características estáticas em figuras 1 6 são obtidas usando pulsos de <300µs, máximo do ciclo de dever 0,5%.
F. Estas curvas são baseadas na impedância térmica junção-à-ambiental que é medido com o dispositivo montado na placa de 1in2 FR-4 com
2oz. Revista, supondo que uma temperatura de junção máxima de TJ(max) =150°C. a curva de SOA fornece uma única avaliação do pulso.
G. O ciclo de dever 5% do ponto máximo, limitado pela temperatura de junção TJ (max) =125°C.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS