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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Carga da porta de 18N20X 200V Mos Field Effect Transistor Low para a aplicação de comutação

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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China Carga da porta de 18N20X 200V Mos Field Effect Transistor Low para a aplicação de comutação wholesale
  • China Carga da porta de 18N20X 200V Mos Field Effect Transistor Low para a aplicação de comutação wholesale

Carga da porta de 18N20X 200V Mos Field Effect Transistor Low para a aplicação de comutação
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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY2312
Product name :Mosfet Power Transistor
Junction temperature :150℃
Material :Silicon
Case :Tape/Tray/Reel
Type :mosfet transistor
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MOSFET do modo do realce do N-canal de 18N20X 200V

 

Sumário do produto

 

O 18N20X usa tecnologia plana avançada para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operação com as tensões da porta tão baixas quanto 2.5V. Este dispositivo é apropriado para o uso como uma proteção da bateria ou na outra aplicação do interruptor.
 
 
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