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Capacidade de impulso alta de W da dissipação de poder 2 do retificador de ponte de MBR3045CT Schottky

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Capacidade de impulso alta de W da dissipação de poder 2 do retificador de ponte de MBR3045CT Schottky

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Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :MBR3045CT
Transistor do Mosfet do poder :TO-220-3L Plástico-encapsulam diodos
Tipo :Microplaqueta da barreira de Schottky
Dissipação de poder :2 W
IO :10A
Identificação do produto :MBR3045CT
Tstg :-55~+150
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MBR2030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT TO-220-3L Plástico-encapsulam diodos


 

CARACTERÍSTICA
 
Microplaqueta da barreira de Schottky
Perda de baixa potência, eficiência elevada
O anel de protetor morre construção para a proteção transiente
Capacidade de impulso alta
Capacidade atual alta e baixa queda de tensão dianteira
 
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
Capacidade de impulso alta de W da dissipação de poder 2 do retificador de ponte de MBR3045CT Schottky
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
Capacidade de impulso alta de W da dissipação de poder 2 do retificador de ponte de MBR3045CT Schottky
 
 
Características típicas
 
Capacidade de impulso alta de W da dissipação de poder 2 do retificador de ponte de MBR3045CT Schottky
 
 
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