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Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :TIP32/32A/32B/32C
Product ID :TIP32/32A/32B/32C
Collector Power Dissipation :2w
Type :Semiconductor Triode
Feature :High Frequency
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TO-220-3L Plástico-encapsulam transistor

 

 

TIP32/32A/32B/32C

 

 

CARACTERÍSTICA
 
Aplicações lineares do interruptor do poder médio
 
 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25℃ salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 40 60 80 100 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 40 60 80 100 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 V
MIMC Corrente de coletor 3 A
PC Dissipação de poder do coletor 2 W
RθJA Resistência térmica da junção a ambiental 62,5  
Tj Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55~+150

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta =25℃ a menos que outros sábios especificados)

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Machado de M Unidade
tensão de divisão da Coletor-base TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

V (BR) CBO

 

 

MimC= 1mA, ISTO É =0

40

60

80

100

 

 

 

V

tensão de divisão do Coletor-emissor * TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

VCEO (sus)

 

 

MimC= 30mA, IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = 1mA, IC=0 5   V
Corrente de interrupção de coletor

TIP31 TIP31A TIP31B

TIP31C

 

 

ICBO

VCB=40V, ISTO É =0 VCB=60V, ISTO É =0 VCB=80V, ISTO É =0 VCB=100V, ISTO É =0  

 

 

200

 

 

μA

Corrente de interrupção de coletor TIP31/31A TIP31B/31C ICEO VCE= 30V, IB= 0 VCE= 60V, IB= 0  

 

0,3

 

miliampère

Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0   1 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE= 4V, IC= 1A 25    
hFE (2) VCE=4 V, mimC= 3A 15 75  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC=3A, IB=0.375A   1,2 V
Tensão do emissor de base VBE (sobre) VCE= 4V, IC=3A   1,8 V
Frequência da transição fT VCE=10V, IC=0.5A 3   Megahertz

 

 

* teste do pulso: PW≤300µs, dever Cycle≤2%.

 

 

 

Características típicas TIP31/31A/31B/31C

 

Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C

 

 

 

Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C

Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote TO-126

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Dissipação de poder de alta frequência 2W do coletor do Triode do semicondutor de TIP32/32A/32B/32C
 

 

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