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Tensão baixa -5 V do emissor do Triode TIP42/42A/42B/42C do semicondutor do poder superior

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Tensão baixa -5 V do emissor do Triode TIP42/42A/42B/42C do semicondutor do poder superior

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :TIP42/42A/42B/42C
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TO-220-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor TIP42/42A/42B/42C (PNP)

 

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações lineares do interruptor do poder médio

Complemento a TIP41/41A/41B/41C

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta =25℃ salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro TIP42 TIP42A TIP42B TIP42C Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base -40 -60 -80 -100 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor -40 -60 -80 -100 V
VEBO Tensão da Emissor-base -5 V
MIMC Corrente de coletor - contínua -6 A
PC Dissipação de poder do coletor 2 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Variação da temperatura do armazenamento -55to+150

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Máximo Unidade

tensão de divisão TIP42 da Coletor-base

TIP42A TIP42B TIP42C

 

 

V (BR) CBO

 

 

MIMC= -1MA, ISTO É =0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

V

tensão de divisão TIP42 do Coletor-emissor

TIP42A TIP42B TIP42C

 

V (BR) CEO*

 

 

MIMC= -30MA, IB=0

-40

-60

-80

-100

 

 

 

V

tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É = -1MA, IC=0 -5   V

Corrente de interrupção de coletor TIP42 TIP42A TIP42B

TIP42C

 

 

ICBO

VCB=-40V, ISTO É =0 VCB=-60V, ISTO É =0 VCB=-80V, ISTO É =0 VCB=-100V, ISTO É =0  

 

 

-0,4

 

 

miliampère

Corrente de interrupção de coletor TIP42/42A TIP42B/42C ICEO

VCE= -30V, IB= 0

VCE= -60V, IB= 0

  -0,7 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=-5V, IC=0   -1 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=-4V, IC=-0.3A 30    
  hFE (2) VCE=-4 V, MIMC= -3A 15 75  
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MIMC=-6A, IB=-0.6A   -1,5 V
Tensão do emissor de base VBE VCE=-4V, IC=-6A   -2 V
Frequência da transição fT VCE=-10V, IC=-0.5 3   MHZ

 

 

 

Characterisitics típico

 

TIP42C

 

Tensão baixa -5 V do emissor do Triode TIP42/42A/42B/42C do semicondutor do poder superior

Tensão baixa -5 V do emissor do Triode TIP42/42A/42B/42C do semicondutor do poder superior

Tensão baixa -5 V do emissor do Triode TIP42/42A/42B/42C do semicondutor do poder superior

Tensão baixa -5 V do emissor do Triode TIP42/42A/42B/42C do semicondutor do poder superior

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote de TO-220-3L

 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Tensão baixa -5 V do emissor do Triode TIP42/42A/42B/42C do semicondutor do poder superior

 

 

 

 

 

 


 

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