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Transistor de efeito de campo TIP112, transistor de alta frequência

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Transistor de efeito de campo TIP112, transistor de alta frequência

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :TIP112
Product ID :TIP112
Feature :Low Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Power Dissipation :2w
Junction Temperature :150℃
Collector-Base Voltage :100v
Emitter-Base Voltage :5v
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TO-220-3L Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor TIP112 DARLINGTON (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
  • Ganho atual alto de C.C.: hFE=1000 @ VCE=4V, IC=1A (mínimo)
  • Baixa tensão de saturação do Coletor-emissor
  • Uso industrial
 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Tensão da Coletor-base 100 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 100 V
VEBO Tensão da Emissor-base 5 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 2 A
PC Dissipação de poder do coletor 2 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 a +150

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)

 

 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC=10mA, ISTO É =0 100     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC=30mA, IB=0 (SUS) 100     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =10MA, IC=0 5     V
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=50V, IB=0     2 miliampère
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=100V, ISTO É =0     1 miliampère
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=5V, IC=0     2 miliampère

 

Ganho atual de C.C.

hFE (1) VCE=4V, IC=1A 1000   12000  
hFE (2) VCE=4V, IC=2A 500      
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) MimC=2A, IB=8mA     2,5 V
Tensão do emissor de base VBE VCE=4V, IC=2A     2,8 V
Capacidade de saída do coletor Espiga VCB=10V, ISTO É =0, f=0.1MHz     100 PF

 

 

 

Dimensões do esboço do pacote de TO-220-3L

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 TIPO 0,100 TIPOS
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

Transistor de efeito de campo TIP112, transistor de alta frequência

 

 


 

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