O UTC 12N60-C é um MOSFET de alta tensão do poder projetado ter melhores características, tais como o tempo rápido do interruptor, a baixa carga da porta, a baixa resistência do em-estado e características ásperas altas da avalancha. Este MOSFET do poder é usado geralmente em aplicações de alta velocidade do interruptor de fontes e de adaptadores de alimentação do interruptor.

CARACTERÍSTICAS do transistor do Mosfet do canal de N

* R_DS(SOBRE)< 0=""> GS = 10 V, I_D = 6,0 A

* capacidade rápida do interruptor

* energia da avalancha testada

* capacidade melhorada de dv/dt, aspereza alta

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número pedindo		Pacote	Atribuição de Pin			Embalagem
Sem chumbo	O halogênio livra		1	2	3
12N60L-TF1-T	12N60G-TF1-T	TO-220F1	G	D	S	Tubo
12N60L-TF3-T	12N60G-TF3-T	TO-220F	G	D	S	Tubo

Nota: Atribuição de Pin: G: Porta D: Dreno S: Fonte

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (T_C = 25°С, salvo disposição em contrário)

PARÂMETRO		SÍMBOLO	CONDIÇÕES DE TESTE	MINUTO	TIPO	Max	UNI T
FORA DAS CARACTERÍSTICAS
Tensão de divisão da Dreno-fonte		BVDSS	V_GS=0V, I_D=250μA	600			V
Corrente do escapamento da Dreno-fonte		IDSS	V_DS=600V, V_GS=0V			1	μA
Corrente do escapamento da fonte da porta	Dianteiro	IGSS	V_GS=30V, V_DS=0V			100	nA
Corrente do escapamento da fonte da porta	Reverso	IGSS	V_GS=-30V, V_DS=0V			-100	nA
EM CARACTERÍSTICAS
Tensão do ponto inicial da porta		VGS (TH)	V_DS=VGS, I_D=250μA	2,0		4,0	V
Resistência estática do Em-estado da Dreno-fonte		RDS (SOBRE)	V_GS=10V, I_D=6.0A			0,7	Ω
CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS
Capacidade da entrada		CISS	V_GS=0V, V_DS=25V, f =1.0 megahertz		1465		PF
Capacidade de saída		COSS			245		PF
Capacidade reversa de transferência		CRSS			57		PF
CARACTERÍSTICAS DO INTERRUPTOR
Carga total da porta (nota 1)		Q_G	V_DS=50V, I_D=1.3A, I_G=100μA V_GS=10V (nota 1,2)		144		nC
Carga da Porta-fonte		QGS			10		nC
Carga do Porta-dreno		QGD			27		nC
Tempo de atraso de ligação (nota 1)		TD (SOBRE)	V_DD =30V, I_D =0.5A, R_G =25Ω, V_GS=10V (nota 1,2)		81		ns
Tempo de elevação de ligação		t_R			152		ns
Tempo de atraso da volta-Fora		TD (FORA)			430		ns
Tempo de queda da volta-Fora		t_F			215		ns
CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE E AVALIAÇÕES MÁXIMAS
O diodo contínuo máximo da Dreno-fonte envia a corrente		MIM_S				12	A
O máximo pulsou diodo da Dreno-fonte Corrente dianteira		ISMO				48	A
Tensão dianteira do diodo da Dreno-fonte		VSD	V_GS=0 V, MIM_S=6.0 A			1,4	V
Tempo de recuperação reversa		trr	V_GS=0 V, MIM_S=6.0 A, dI_F/dt=100 A/μs (nota 1)		336		ns
Carga reversa da recuperação		Qrr	V_GS=0 V, MIM_S=6.0 A, dI_F/dt=100 A/μs (nota 1)		2,21		μC

Notas: 1. as avaliações máximas absolutas são aqueles valores além de que o dispositivo poderia permanentemente ser danificado.

As avaliações máximas absolutas são avaliações do esforço somente e a operação funcional do dispositivo não é implicada.

4. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.

5. L = 84mH, I_COMO =1.4A, V_DD = 50V, R_G = Ω 25 que começa T_J = 25°C

6. Mim ≤ 2.0A do_SD, di/dt ≤200A/μs, _DD ≤BV_DSSde V, começando T_J = 25°C

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T_J = 25°С, salvo disposição em contrário)

Parâmetro	Símbolo	Circunstância	Minuto	Tipo	Máximo	Unidade
Fora das características
Tensão de divisão da Dreno-fonte	BVDSS	V_GS=0V mim_D=250μA	100	110	-	V
Corrente zero do dreno da tensão da porta	IDSS	V_DS=100V, V_GS=0V	-	-	1	μA
Corrente do escapamento do Porta-corpo	IGSS	V_GS=±20V, V_DS=0V	-	-	±100	nA
Em características ^{(nota 3)}
Tensão do ponto inicial da porta	VGS (th)	V_DS=VGS, I_D=250μA	1,2	1,8	2,5	V
Resistência do Em-estado da Dreno-fonte	RDS (SOBRE)	V_GS=10V, I_D =8A	98		130	Ω de m
Transcondutância dianteira	gFS	V_DS=25V, I_D=6A	3,5	-	-	S
Características dinâmicas ^(Note4)
Capacidade da entrada	Clss	V_DS=25V, V_GS=0V, F=1.0MHz	-	690	-	PF
Capacidade de saída	Coss		-	120	-	PF
Capacidade reversa de transferência	Crss		-	90	-	PF
Características do interruptor ^{(nota 4)}
Tempo de atraso de ligação	TD (sobre)	V_DD=30V, I_D=2A, R_L=15Ω V_GS=10V, R_G=2.5Ω	-	11	-	nS
Tempo de elevação de ligação	t_r		-	7,4	-	nS
Tempo de atraso da volta-Fora	TD (fora)		-	35	-	nS
Tempo de queda da volta-Fora	t_f		-	9,1	-	nS
Carga total da porta	Q_g	V_DS=30V, I_D=3A, V_GS=10V	-	15,5		nC
Carga da Porta-fonte	Qgs		-	3,2	-	nC
Carga do Porta-dreno	Qgd		-	4,7	-	nC
Características de diodo da Dreno-fonte
Tensão dianteira do diodo ^{(nota 3)}	VSD	V_GS=0V, I_S=9.6A	-	-	1,2	V
Corrente dianteira do diodo ^{(nota 2)}	MIM_S		-	-	9,6	A
Tempo de recuperação reversa	trr	TJ = 25°C, SE =9.6A di/dt = 100A/μs^(Note3)	-	21		nS
Carga reversa da recuperação	Qrr		-	97		nC
Tempo de ligação dianteiro	tonelada	O tempo de ligação intrínseco é insignificante (a tara é dominada por LS+LD)

Essencialmente independente da temperatura de funcionamento. Notas: 1. teste do pulso: ≤ 300µs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever.

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