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Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :50P06D TO-252
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :negociação
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Nome do produto :transistor do canal de p
Original :Sim
tensão da Dreno-fonte :-60 V
Tensão da Porta-Fonte :±20 V
O outro nome :transistor de alta tensão
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Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

 

DESCRIÇÃO do transistor do canal de P

 

A trincheira avançada dos usos 50P06D
tecnologia para fornecer R excelente DS (SOBRE)
e baixa carga da porta. Este dispositivo é
apropriado para o uso como um interruptor da carga ou dentro
Aplicações de PWM


GENERAL CARACTERÍSTICAS do transistor do canal de P

 

V DS = - 60V, I D =-50A
R do poder superior do DS (SOBRE < 25m=""> ) R DS (SOBRE < 30m=""> ) e capacidade entregando atual
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem
 

Aplicação do transistor do canal de P


Aplicações de PWM
Interruptor da carga
Gestão do poder

Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

 

Marcação do pacote e informação pedindo

Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA=25℃unless notáveis de outra maneira)

Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TA=25℃unless notável de outra maneira)

Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

 

NOTAS:


1. Avaliação repetitiva: Largura de pulso limitada pela temperatura de junção máxima.
2. superfície montada em 1in 2 FR4 placa, segundo do ≤ 10 de t.
3. teste do pulso: ≤ 300μs da largura de pulso, ≤ 2% do ciclo de dever. 4. garantido pelo projeto, não sujeito aos testes de produção.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E TÉRMICAS TÍPICAS

 

 

 

Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

Transistor original do canal de P/transistor de alta tensão 50P06D TO-252

 

Informação do pacote DFN5X6-8

 

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