Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistor de efeito de campo do MOS do canal de N, transistor de poder superior -30V/-80A
Descrição do transistor de efeito de campo do MOS do canal de N
-30V/-80A
R do mΩ 3,8 do DS (SOBRE) = (tipo.) @V GS = -10V
R do mΩ 6,2 do DS (SOBRE) = (tipo.) @V GS = -4.5V
Avalancha 100% testada
Seguro e áspero
Dispositivos livres do halogênio disponíveis
Aplicações do transistor de efeito de campo do MOS do canal de N
Aplicação do interruptor
Gestão do poder para DC/DC
Proteção da bateria
Informação pedindo e de marcação
C2
G045P03
Código do pacote
C2: PPAK5*6-8L
Código da data
Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos do molde/morrem materiais do anexo e placa de lata Termi- do resíduo metálico de 100%
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI encontram ou excedem o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl não excedem 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.
Avaliações máximas absolutas
Características de funcionamento típicas