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Transistor de efeito de campo do MOS do canal de N, transistor de poder superior -30V/-80A

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Transistor de efeito de campo do MOS do canal de N, transistor de poder superior -30V/-80A

Pergunte o preço mais recente
Número de modelo :G045P03LQ1C2
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :negociação
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Nome do produto :transistor de efeito de campo do MOS do canal de n
Poder :-30V/-80A
R do mΩ 3,8 do DS (SOBRE) = (tipo.) :@V GS = -10V
R do mΩ 6,2 do DS (SOBRE) = (tipo.) :@V GS = -4.5V
Aplicação :Switching
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Transistor de efeito de campo do MOS do canal de N, transistor de poder superior -30V/-80A

 

Descrição do transistor de efeito de campo do MOS do canal de N

 

-30V/-80A
R do mΩ 3,8 do DS (SOBRE) = (tipo.) @V GS = -10V
R do mΩ 6,2 do DS (SOBRE) = (tipo.) @V GS = -4.5V
Avalancha 100% testada
Seguro e áspero
Dispositivos livres do halogênio disponíveis

 

Aplicações do transistor de efeito de campo do MOS do canal de N

 

Aplicação do interruptor
Gestão do poder para DC/DC
Proteção da bateria

 

Informação pedindo e de marcação

 

C2
G045P03

 

Código do pacote
C2: PPAK5*6-8L
Código da data

 

Nota: Os produtos sem chumbo de HUAYI contêm compostos do molde/morrem materiais do anexo e placa de lata Termi- do resíduo metálico de 100%
Revestimento da nação; quais são inteiramente complacentes com RoHS. Os produtos sem chumbo de HUAYI encontram ou excedem o sem chumbo exigem
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para a classificação de MSL na temperatura máxima sem chumbo do reflow. HUAYI define
“Verde” para significar sem chumbo (RoHS complacente) e o halogênio livre (o Br ou o Cl não excedem 900ppm por peso dentro
o material e o total homogêneos de Br e de Cl não excedem 1500ppm por peso).
HUAYI reserva o direito de fazer mudanças, correções, realces, alterações, e melhorias a este PR
oduct e/ou a este documento a qualquer hora sem aviso prévio.

 

Avaliações máximas absolutas

Transistor de efeito de campo do MOS do canal de N, transistor de poder superior -30V/-80A

 

Características de funcionamento típicas

 

 

Transistor de efeito de campo do MOS do canal de N, transistor de poder superior -30V/-80A

 

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