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Alternativa do mosfet do transistor de G2012 20V 12A 10mr para AP6982GN2-HF
Descrição:
As séries AP6982 são de poder avançado inovaram projeto e
tecnologia de processamento do silicone para conseguir sobre o mais baixo possível? resistência e desempenho de comutação rápido. Fornece
desenhista com um dispositivo eficiente extremo para o uso em um largo
escala de aplicações do poder.
Ratings@Tj máximo absoluto =25o.C (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Dreno contínuo3 @ VGS atuais =4.5V | 11 | |
| ID@TA =70℃ | Dreno contínuo3 @ VGS atuais =4.5V | 8,7 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total3 | 2,4 | W |
| TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 52 | ℃/W |
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =10A | - | 9,3 | 12,5 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =5A | - | 11,3 | 16 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =2A | - | 15 | 21 | mΩ | ||
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,3 | 0,5 | 1 | V |
| gfs | Transcondutância dianteira | VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =10A | - | 34 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total da porta |
Identificação =10A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 22 | 35,2 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 2,5 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 7 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação | VDS =10V | - | 9 | - | ns |
| tr | Tempo de elevação | Identificação =1A | - | 13 | - | ns |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | RG =3.3Ω | - | 40 | - | ns |
| tf | Tempo de queda | VGS =5V | - | 10 | - | ns |
| Ciss | Capacidade entrada |
VGS =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 1500 | 2400 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 170 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 155 | - | PF | |
| Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 2 | 4 | Ω |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tensão2 | É =2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa |
É =10A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 11 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 5 | - | nC |
Notas:
Este produto é sensível à descarga eletrostática, segura por favor com cuidado.
Este produto não é autorizado para ser usado como um componente crítico de um sistema de manutenção das funções vitais ou de outros sistemas similares.
O APEC não será responsável para nenhuma responsabilidade que levanta-se da aplicação ou o uso de todo o produto ou circuito descreveu neste acordo, nem atribuirá qualquer licença sob seus direitos de patente ou atribuirá os direitos de outro.
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