Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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APEC quente especializado AP2302AGN-HF dos CI AP2302AGN-HF
Descrição
As séries de AP2302A são de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir o mais baixo possível na resistência e no desempenho de comutação rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.
O pacote especial do projeto SOT-23 com bom desempenho térmico é preferido extensamente para todas as aplicações de superfície comercial-industriais da montagem usando a técnica infravermelha do reflow e serido para aplicações da conversão ou do interruptor da tensão.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 4,6 | |
| ID@TA =70℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 3,7 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 20 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total | 1,38 | W |
| TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Dados térmicos
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 90 | ℃/W |
AP2302AGN-H
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) |
Em-resistência estática2da Dreno-fonte |
VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =4A | - | - | 42 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =3A | - | - | 60 | mΩ | ||
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 0,3 | - | 1,2 | V |
| gfs | Transcondutância dianteira | VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =4A | - | 14 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total2da porta |
IDENTIFICAÇÃO =4A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 6,5 | 10,5 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 1 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 2,5 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação2 |
IDENTIFICAÇÃO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 9 | - | ns |
| tr | Tempo de elevação | - | 12 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 16 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 5 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada |
VGS =0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 300 | 480 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 85 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 80 | - | PF | |
| Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tensão2 | É =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa2 |
É =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 10 | - | nC |
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou em 1 na almofada2 de cobre FR4 da placa, t<> 10s; 270℃/W quando montou na almofada de cobre mínima.
Pagamento:
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