As séries AP1334 são de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir o mais baixo possível na resistência e no desempenho de comutação rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC. (salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão da Dreno-fonte	20	V
VGS	Tensão da Porta-fonte	+8	V
ID@TA =25℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	2,1
ID@TA =70℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	1,7
IDM	Corrente pulsada^1do dreno	8
PD@TA =25℃	Dissipação de poder total	0,35	W
TSTG	Variação da temperatura do armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Variação da temperatura de funcionamento da junção	-55 a 150	℃

Dados térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
Rthj-a	Resistência térmica máxima,^3Junção-ambientais	360	℃/W

AP1334GEU-H

Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Tensão de divisão da Dreno-fonte	VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA	20	-	-	V
RDS (SOBRE)	Em-resistência estática^2da Dreno-fonte	VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =2A	-	-	65	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =1.5A	-	-	75	mΩ
		VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =1A	-	-	85	mΩ
VGS (th)	Tensão do ponto inicial da porta	VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA	0,3	-	1	V
gfs	Transcondutância dianteira	VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =2A	-	12	-	S
IDSS	Corrente do escapamento da Dreno-fonte	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	A
IGSS	Escapamento da Porta-fonte	VGS =+8V, VDS =0V	-	-	+30	A
Qg	Carga total da porta	Identificação =2A VDS =10V VGS =4.5V	-	9	14,4	nC
Qgs	Carga da Porta-fonte		-	1	-	nC
Qgd	Carga do Porta-dreno (“Miller”)		-	2,5	-	nC
TD (sobre)	Tempo de atraso de ligação	IDENTIFICAÇÃO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V	-	6	-	ns
tr	Tempo de elevação		-	7	-	ns
TD (fora)	Tempo de atraso da volta-fora		-	18	-	ns
tf	Tempo de queda		-	3	-	ns
Ciss	Capacidade entrada	VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz	-	570	912	PF
Coss	Capacidade de saída		-	70	-	PF
Crss	Capacidade reversa de transferência		-	60	-	PF
Rg	Resistência da porta	f=1.0MHz	-	2,4	4,8	Ω

Diodo do Fonte-dreno

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Envie na tensão²	É =1.2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tempo de recuperação reversa	É =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	14	-	ns
Qrr	Carga reversa da recuperação	É =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	7	-	nC

Notas:

largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse

3.Surface montou FR4 na placa, segundo do ≦ 10 de t.

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