Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Este produto é sensível à descarga eletrostática, segura por favor com cuidado.
Este produto não é autorizado para ser usado como um componente crítico de um sistema de manutenção das funções vitais ou de outros sistemas similares.
O APEC não será responsável para nenhuma responsabilidade que levanta-se da aplicação ou o uso de todo o produto ou circuito descreveu neste acordo, nem atribuirá qualquer licença sob seus direitos de patente ou atribuirá os direitos de outro.
O APEC reserva o direito de fazer sem aviso prévio mudanças a todo o produto neste acordo melhorar a confiança, a função ou o projeto.
Descrição
Os MOSFETs avançados do poder utilizaram técnicas de processamento avançadas para conseguir a mais baixa em-resistência possível, extremamente eficiente e o dispositivo da rentabilidade.
O pacote de SOT-23S é preferido extensamente para aplicações de superfície comercial-industriais da montagem e serido para aplicações da baixa tensão tais como conversores de DC/DC.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão da Dreno-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensão da Porta-fonte | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 2,5 | |
| ID@TA =70℃ | Drene a corrente3, VGS @ 4.5V | 2,0 | |
| IDM | Corrente pulsada1do dreno | 10 | |
| PD@TA =25℃ | Dissipação de poder total | 0,833 | W |
| TSTG | Variação da temperatura do armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Variação da temperatura de funcionamento da junção | -55 a 150 | ℃ |
Dados térmicos
| Símbolo | Parâmetro | Valor | Unidade |
| Rthj-a | Resistência térmica máxima,3Junção-ambientais | 150 | ℃/W |
AP2322G
Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Tensão de divisão da Dreno-fonte | VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (SOBRE) | Em-resistência estática2da Dreno-fonte | VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =1.6A | - | - | 90 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =1A | - | - | 120 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFICAÇÃO =0.3A | - | - | 150 | mΩ | ||
| VGS (th) | Tensão do ponto inicial da porta | VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =1MA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Transcondutância dianteira | VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =2A | - | 2 | - | S |
| IDSS | Corrente do escapamento da Dreno-fonte | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | A |
| IGSS | Escapamento da Porta-fonte | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total da porta |
Identificação =2.2A VDS =16V VGS =4.5V |
- | 7 | 11 | nC |
| Qgs | Carga da Porta-fonte | - | 0,7 | - | nC | |
| Qgd | Carga do Porta-dreno (“Miller”) | - | 2,5 | - | nC | |
| TD (sobre) | Tempo de atraso de ligação |
IDENTIFICAÇÃO =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 6 | - | ns |
| tr | Tempo de elevação | - | 12 | - | ns | |
| TD (fora) | Tempo de atraso da volta-fora | - | 16 | - | ns | |
| tf | Tempo de queda | - | 4 | - | ns | |
| Ciss | Capacidade entrada |
V.GS=0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 350 | 560 | PF |
| Coss | Capacidade de saída | - | 55 | - | PF | |
| Crss | Capacidade reversa de transferência | - | 48 | - | PF | |
| Rg | Resistência da porta | f=1.0MHz | - | 3,2 | 4,8 | Ω |
Diodo do Fonte-dreno
| Símbolo | Parâmetro | Condições de teste | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Envie na tensão2 | É =0.7A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa |
É =2A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa da recuperação | - | 13 | - | nC |
Notas:
largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.
teste 2.Pulse
3.Surface montou em 1 na almofada2 de cobre FR4 da placa, t<> 10sec; 360 ℃/W quando montado na almofada de cobre mínima.