As séries AP2602 são de poder avançado inovaram projeto e tecnologia de processamento do silicone conseguir a mais baixa em-resistência possível e o desempenho de comutação rápido. Fornece o desenhista um dispositivo eficiente extremo para o uso em uma vasta gama de aplicações do poder.

O pacote SOT-26 é amplamente utilizado para todas as aplicações comercial-industriais.

Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão da Dreno-fonte	20	V
VGS	Tensão da Porta-fonte	+12	V
ID@TA =25℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	6,3
ID@TA =70℃	Drene a corrente³, VGS @ 4.5V	5
IDM	Corrente pulsada^1do dreno	30
PD@TA =25℃	Dissipação de poder total	2	W
	Fator Derating linear	0,016	W/℃
TSTG	Variação da temperatura do armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Variação da temperatura de funcionamento da junção	-55 a 150	℃

Dados térmicos

Símbolo	Parâmetro	Valor	Unidade
Rthj-a	Resistência térmica máxima,^3Junção-ambientais	62,5	℃/W

AP2602GY-H

Characteristics@Tj elétrico =25oC (salvo disposição em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
BVDSS	Tensão de divisão da Dreno-fonte	VGS =0V, IDENTIFICAÇÃO =250UA	20	-	-	V
ΔBVDSS/ΔTj	Coeficiente de temperatura da tensão de divisão	Referência a 25℃, identificação =1mA	-	0,1	-	V/℃
RDS (SOBRE)	Em-resistência estática^2da Dreno-fonte	VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =5.5A	-	-	30	mΩ
		VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =5.3A	-	-	34	mΩ
		VGS =2.5V, IDENTIFICAÇÃO =2.6A	-	-	50	mΩ
VGS (th)	Tensão do ponto inicial da porta	VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA	0,5	0,85	1,2	V
gfs	Transcondutância dianteira	VDS =5V, IDENTIFICAÇÃO =5.3A	-	13	-	S
IDSS	Corrente do escapamento da Dreno-fonte	VDS =20V, VGS =0V	-	-	1	A
IDSS	Corrente do escapamento da Dreno-fonte (Tj =55oC)	VDS =16V, VGS =0V	-	-	10	A
IGSS	Escapamento da Porta-fonte	VGS =+12V, VDS =0V	-	-	+100	nA
Qg	Carga total^2da porta	Identificação =5.3A VDS =10V VGS =4.5V	-	8,7	16	nC
Qgs	Carga da Porta-fonte		-	1,5	-	nC
Qgd	Carga do Porta-dreno (“Miller”)		-	3,6	-	nC
TD (sobre)	Tempo de atraso de ligação²	VDS =15V	-	6	-	ns
tr	Tempo de elevação	Identificação =1A	-	14	-	ns
TD (fora)	Tempo de atraso da volta-fora	RG =2Ω	-	18,4	-	ns
tf	Tempo de queda	VGS =10V	-	2,8	-	ns
Ciss	Capacidade entrada	VGS =0V VDS =15V f=1.0MHz	-	603	1085	PF
Coss	Capacidade de saída		-	144	-	PF
Crss	Capacidade reversa de transferência		-	111	-	PF

Diodo do Fonte-dreno

Símbolo	Parâmetro	Condições de teste	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidades
VSD	Envie na tensão²	É =1.2A, VGS =0V	-	-	1,2	V
trr	Tempo de recuperação reversa²	É =5A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	16,8	-	ns
Qrr	Carga reversa da recuperação	É =5A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs	-	11	-	nC

Notas:

largura 1.Pulse limitada pela temperatura de junção máxima.

teste 2.Pulse

3.Surface montou em 1 na almofada² de cobre FR4 da placa, t<> 10s; 156℃/W quando montou na almofada de cobre mínima.

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