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Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrDavid Lee
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Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

Pergunte o preço mais recente
Lugar de origem :Shenzhen China
Quantidade de ordem mínima :1000-2000 PCes
Detalhes de empacotamento :Encaixotado
Tempo de entrega :1 - 2 semanas
Termos do pagamento :L/C T/T Western Union
Capacidade da fonte :18,000,000PCS/pelo dia
Número de modelo :MJE13003
Tipo :Transistor do Triode
Materiais :silício
Transistor do Mosfet do poder :TO-126 Plástico-encapsulam
Nome do produto :tipo do triode do semicondutor
TJ :150℃
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TO-126 Plástico-encapsulam o TRANSISTOR dos transistor MJE13003 (NPN)

 

 

CARACTERÍSTICA
 

Aplicações do interruptor do poder de Ÿ

 

 

MARCAÇÃO

Código de MJE13003=Device

Ponto contínuo = verde que molda o dispositivo composto, se nenhum, o dispositivo normal

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

 

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

 

 

INFORMAÇÃO PEDINDO

Número da peça Pacote Método da embalagem Quantidade do bloco
MJE13003 TO-126 Volume 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Tubo 60pcs/Tube


 

 

 

 

AVALIAÇÕES MÁXIMAS (Tum =25 Š salvo disposição em contrário)

 

Símbolo Parâmetro Valor Unidade
VCBO Coletor - tensão baixa 600 V
VCEO Tensão do Coletor-emissor 420 V
VEBO Tensão da Emissor-base 7 V
MIMC Corrente de coletor - contínua 0,2 A
PC Dissipação de poder do coletor 0,75 W
TJ Temperatura de junção 150
Tstg Temperatura de armazenamento -55 ~150

 

 

 

 


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

 

 

Ta =25 Š salvo disposição em contrário


 

Parâmetro Símbolo Condições de teste Minuto Tipo Máximo Unidade
tensão de divisão da Coletor-base V (BR) CBO MimC= 0.1mA, ISTO É =0 600     V
tensão de divisão do Coletor-emissor (BR) CEO V MimC= 1mA, IB=0 400     V
tensão de divisão da Emissor-base V (BR) EBO ISTO É =0.1MA, IC=0 6     V
Corrente de interrupção de coletor ICBO VCB=600V, ISTO É =0     100 A
Corrente de interrupção de coletor ICEO VCE=400V, IB=0     100 A
Corrente da interrupção do emissor IEBO VEB=7V, IC=0     10 A
Ganho atual de C.C. hFE (1) * VCE=10V, IC=200mA 20   30  
hFE (2) VCE=10V, IC=250μA 5    
tensão de saturação do Coletor-emissor VCE (sentado) 1 MimC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Tensão de saturação do emissor de base VBE (sentado) MimC=200mA, IB=40mA     1,1 V
Frequência da transição fT VCE=10V, IC=100mA, f=1MHz 5     Megahertz
Tempo de queda tf MimC=100mA     0,5 μs
Tempo de armazenamento tS* MimC=100mA 2   4

 

 
 Dimensões do esboço do pacote TO-92

 

 

Símbolo Dimensões nos milímetros Dimensões nas polegadas
  Minuto Máximo Minuto Máximo
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 TIPO 0,090 TIPOS
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

Tipo material do transistor do Triode do silicone dos transistor de poder NPN da ponta MJE13003

 

 

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