2 " 3" FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Camada de oxidação seca húmida 100nm 300nm

Número do modelo:Wafers de SiO2
Local de origem:China
Quantidade mínima de encomenda:25pcs
Condições de pagamento:T/T
Tempo de entrega:em 30 dias
Detalhes da embalagem:caixa personalizada
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2 ̊ 3 ̊ FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Camada de oxidaço seca húmida 100nm 300nm


Descriço do produto:


A bolacha de silício é formada através de um tubo de forno na presença de um agente oxidante a uma temperatura elevada, um processo chamado oxidaço térmica.O intervalo de temperatura é controlado de 900 a 1, 250°C; a relaço do gás oxidante H2:O2 é entre 1.51 e 3:1De acordo com o De acordo com o tamanho da bolacha de silício no oxida a espessura terá fluxo diferente no consome.O substrato de wafer de silício é 6 "ou 8" silício monocristalino com uma espessura de camada de óxido de 0.1 μm a 25 μm. A espessura da camada de óxido da bolacha de silício geral concentra-se principalmente abaixo de 3 μm,que pode ser estável no momento Produço quantitativa de wafer de silício de alta qualidade com camada espessa de óxido (3μm ou mais) países e regiões ou Estados Unidos.


Características:

O material de silício é duro e frágil (Mohs 7.0); largura de faixa de 1.12 eV; a absorço da luz é na faixa infravermelha, com alta emissividade e índice de refraço (3.42);O silício tem condutividade térmica óbvia e propriedades de expanso térmica (coeficiente de expanso linear 2.6*10^-6/K), o volume de fuso do silício encolhe, a expanso da solidificaço, tem um elevado coeficiente de tenso superficial (720 dyn/cm); temperatura ambiente, o silício no é maleável,e a temperatura é superior a 800 grausO silício é obviamente de forma, e é propenso a deformaço plástica sob a aço do estresse.e é fácil de produzir dobra e deformaço durante o processamento.


Parmetros técnicos:

NúmerosParmetros
Densidade20,3 g/cm3
Ponto de fuso1750°C
Ponto de ebuliço2300°C
Índice de refraço1.4458±0.0001
Mol. wt60.090
Aparênciacinza
SolubilidadeInsolúvel
Ponto de sinterizaço900°C a 1500°C
Método de preparaçoOxidaço seca/umida
Warp.8um
Incline-se.8um
TTV8um
Orientaço110
Ra0.4 nm
Aplicaço5G

Aplicações:

O silício monocristalino pode ser utilizado na produço de produtos monocristalinos a nível de diodos, de dispositivos retificadores, de circuitos e de células solares e na fabricaço de processamento profundo,seus produtos de acompanhamento circuito integrado e dispositivos de separaço de semicondutores foram amplamente utilizados em vários camposA tecnologia fotovoltaica e a tecnologia dos inversores de micro semicondutores, que se desenvolvem rapidamente, permitem que os sistemas de transmisso de energia sejam mais eficientes e mais eficientes.Células solares produzidas por cristais únicos de silício podem converter diretamente a energia solar em energia luminosaOs Jogos Olímpicos de Pequim mostram ao mundo o conceito de "Jogos Olímpicos Verdes",e o uso de silício monocristalino é uma parte muito importante dele.


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Perguntas frequentes:


P: Qual é a marca deSiO2 monocristalino?

A: O nome da marcaSiO2 monocristalinoé ZMSH.


Q: O que é a certificaço deO SiO2 monocristalino?

A: A certificaço deSiO2 monocristalinoé ROHS.


P: Onde é o local de origem deSiO2 monocristalino?

A: O local de origemSiO2 monocristalinoé a CHINA.


Q: Qual é o MOQ deSiO2 monocristal por vez?

A: O MOQ deSiO2 monocristalinoSo 25 peças de cada vez.

China 2  3 FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Camada de oxidação seca húmida 100nm 300nm supplier

2 " 3" FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Camada de oxidação seca húmida 100nm 300nm

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