DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP substrato MOCVD método 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional: 1,3 μm, 1,55 μm

DFB Epiwafer InP's substrate's Brief

DFB (Feedback Distribuído) Epiwafers em substratos de fosfeto de ínio (InP) so componentes-chave utilizados na fabricaço de diodos a laser DFB de alto desempenho.Estes lasers so críticos para comunicações ópticas e aplicações de detecço devido sua capacidade de produzir um único modo, luz de largura de linha estreita com emisso de comprimento de onda estável, tipicamente nas faixas de 1,3 μm e 1,55 μm.

O substrato InP fornece excelente correspondência de rede para camadas epitaxiais como InGaAsP, que so cultivadas para formar a regio ativa, camadas de revestimento,e estruturas de grelha que definem a funcionalidade do laser DFBA grelha integrada na estrutura assegura um controlo preciso do feedback e do comprimento de onda.que o tornam adequado para comunicações de fibra óptica de longa distncia e sistemas WDM (multiplexamento por diviso de comprimento de onda).

As principais aplicações incluem transceptores ópticos de alta velocidade, interconexões de centros de dados, detecço de gás e tomografia de coerência óptica (OCT).A combinaço de desempenho de alta velocidade do epiwafer DFB baseado em InP, estreita largura de linha espectral e estabilidade de comprimento de onda tornam-no indispensável nas redes de telecomunicações modernas e nas tecnologias de detecço avançadas.

Estrutura do substrato DFB Epiwafer InP

Folha de dados do substrato DFB Epiwafer InPZMSH DFB inp epiwafer.pdf)

Propriedades do substrato DFB Epiwafer InP

Material de substrato:

• Fósforo de ínio (InP): InP fornece uma excelente correspondência de rede para camadas epitaxiais como InGaAsP, reduzindo defeitos e luxações durante o processo de crescimento epitaxial.Isto leva a camadas de alta qualidade essenciais para o desempenho eficiente do laser.

Bandgap:

• Bandgap direto: InP possui uma banda larga direta de 1,344 eV, tornando-o altamente adequado para aplicações optoeletrônicas, particularmente para emisso no espectro infravermelho, em torno dos comprimentos de onda de 1,3 μm e 1,55 μm,que sejam ideais para a comunicaço óptica.

Combinaço de rede:

• O InP permite o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade, especialmente InGaAsP, com tenso mínima, garantindo um funcionamento estável e confiável do dispositivo.

Camadas epitaxianas:

• Camada ativa: Geralmente composto de InGaAsP, esta camada define o comprimento de onda da emisso e suporta a geraço de fótons através da recombinaço radiativa.
• Estrutura da grade: A grade integrada dentro da estrutura epitaxial fornece o feedback necessário para a emisso de modo único, essencial para a preciso do comprimento de onda nos lasers DFB.
• Camadas de revestimento: Ao redor da regio ativa, estas camadas confinam a luz e direcionam-na para a faceta de saída, garantindo um confinamento óptico eficiente.

Comprimento de onda operacional:

• 10,3 μm e 1,55 μm: Estes comprimentos de onda so ideais para a comunicaço de fibra óptica devido sua baixa perda de fibras ópticas, tornando os lasers DFB cruciais para a transmisso de dados de longa distncia e de alta velocidade.

Largura de linha estreita e operaço de modo único:

• Os lasers DFB fornecem uma largura de linha espectral estreita e operam em modo longitudinal único,que é fundamental para minimizar a interferência do sinal e maximizar a integridade dos dados em sistemas de Multiplexagem por Diviso de Comprimento de Onda Densa (WDM).

Estabilidade de temperatura:

• Os lasers DFB baseados em InP oferecem excelente estabilidade de temperatura,que é essencial para manter a saída de comprimento de onda constante e minimizar a degradaço do desempenho em temperaturas operacionais variáveis.

Corrente de limiar baixo:

• Os lasers DFB em substratos InP apresentam correntes de limiar baixas, o que conduz a uma operaço energéticamente eficiente, o que é benéfico tanto para o desempenho como para o consumo de energia,Particularmente nos centros de dados e redes de telecomunicações.

Capacidade de modulaço de alta velocidade:

• Os lasers DFB baseados em InP suportam modulaço de alta velocidade, tornando-os ideais para uso em transceptores ópticos e sistemas de comunicaço que exigem transferência rápida de dados.

As principais propriedades dos Epiwafers DFB em substratos InP, tais como sua excelente correspondência de rede, operaço em modo único, largura de linha estreita, desempenho de alta velocidade e estabilidade de temperatura,torná-los indispensáveis para a comunicaço óptica, detecço e aplicações fotónicas avançadas.

Fotos reais do substrato DFB Epiwafer InP

Aplicaço do substrato DFB Epiwafer InP

1.Comunicaço óptica

• Redes de fibra óptica de longa distncia: Os lasers DFB so críticos para a comunicaço óptica de longa distncia, particularmente nas faixas de comprimento de onda de 1,3 μm e 1,55 μm, onde a perda de sinal nas fibras ópticas é minimizada.Estes lasers so essenciais para a transmisso de dados de alta velocidade a longas distncias.
• Sistemas WDM (multiplexamento por diviso de comprimento de onda): Os lasers DFB so usados em sistemas WDM para transmitir vários canais de dados através de uma única fibra, atribuindo a cada canal um comprimento de onda específico.A sua preciso e estabilidade de comprimento de onda so vitais para evitar interferências entre os canais.

2.Interconexões do Data Center

• Transmisso de dados de alta velocidade: Os lasers DFB so empregados em centros de dados para conectar servidores e equipamentos de rede, fornecendo ligações ópticas de alta velocidade que lidam com grandes quantidades de dados com perda e interferência mínimas de sinal.

3.Detecço de gases e monitorizaço ambiental

• Detecço de gases: Os lasers DFB so usados em aplicações de detecço de gases para detectar gases específicos, como CO2 e CH4, ajustando o laser para corresponder s linhas de absorço desses gases.Isto é fundamental para a segurança industrial., monitorizaço ambiental e controlo de emissões.
• Espectroscopia de Absorço a Laser: Na monitorizaço ambiental, os lasers DFB permitem a mediço precisa das concentrações de gás, aproveitando a sua largura de linha estreita e comprimentos de onda ajustáveis para detecço de alta resoluço.

4.Tomografia de coerência óptica (OCT)

• Diagnóstico médico: Os lasers DFB so utilizados em sistemas OCT para imagens médicas no invasivas, tais como exames de retina em oftalmologia e imagens de tecidos em dermatologia.O comprimento de onda estável e a largura de linha espectral estreita aumentam a resoluço e a clareza das imagens.

5.LIDAR (Detecço e alcance da luz)

• Veículos autônomos e mapeamento 3D: Os lasers DFB so parte integrante dos sistemas LIDAR, que so usados para mediço de distncia e detecço de objetos em veículos autônomos, drones e aplicações de mapeamento 3D.A preciso e a estabilidade do laser melhoram a preciso dos sistemas LIDAR na determinaço de distncias e na identificaço de objetos.

6.Comunicaço por satélite e pelo espaço

• Comunicaço de Alta Frequência: Os lasers DFB so utilizados em sistemas de comunicaço por satélite, onde é necessária a transmisso de dados de longa distncia e de alta frequência.A capacidade dos lasers DFB de manter um comprimento de onda estável em condições ambientais variadas é crucial para a comunicaço espacial.

Mundos-chave: InP substrato DFB epiwafer