a bolacha HVPE do nitreto do gálio de 5x5/10x10 milímetro livra o molde ereto da microplaqueta industrial
Número de modelo:GaN-FS-C-U-C50-SSP
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:10pcs
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:50pcs por mês
Tempo de entrega:1-5weeks
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Shanghai Shanghai China
Endereço:
Sala 1-1805, n.o 1079, Rua Dianshanhu, Área Qingpu, cidade de Xangai, China /201799
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Detalhes do produto
Modelo de substratos de GaN de 2 polegadas,Wafer de GaN para LED,Wafer de Nitreto de Gállio semicondutor para ld,Modelo de GaN,Wafer de GaN mocvd,Substratos de GaN em pé livre por tamanho personalizado,Wafer de GaN de pequeno tamanho para LED,mocvd Gallium Nitride wafer 10x10mmWafer GaN de 5x5 mm, 10x5 mm, Substratos GaN independentes no polares ((a-plane e m-plane)
Características da wafer GaN
| Produto | Substratos de nitruro de gálio (GaN) | ||||||||||||||
| Descriço do produto: | O modelo de GaN de safira é apresentado pelo método de epitaxia de fase de vapor de hidruro epítsico (HVPE). O ácido produzido pela reaço GaCl, que por sua vez reage com a amônia para produzir nitreto de gálio derretido.O modelo epitaxial de GaN é uma maneira econômica de substituir o substrato de cristal único de nitruro de gálio. | ||||||||||||||
| Parmetros técnicos: |
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| Especificações: |
Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, 2 "* 30 microns, safira; Filme epitaxial GaN (plano C), tipo N, safira de 2 "* 5 microns; Filme epitaxial GaN (plano R), tipo N, safira de 2 "* 5 microns; Película epitaxial GaN (plano M), tipo N, safira de 2 "* 5 microns. filme AL2O3 + GaN (Si dopado do tipo N); filme AL2O3 + GaN (Mg dopado do tipo P) Nota: de acordo com a demanda do cliente, orientaço e tamanho especiais do ficheiro. | ||||||||||||||
| Embalagem padro: | 1000 salas limpas, 100 sacos limpos ou embalagens de caixa única |
Aplicaço
O GaN pode ser usado em muitas áreas, como tela LED, detecço e
imagem de alta energia,
Display de projecço a laser, dispositivo de alimentaço, etc.
- Display de projecço a laser, dispositivo de alimentaço, etc.
- Armazenamento da data
- Iluminaço energéticamente eficiente
- Exibiço de fla a cores
- Projeções a laser
- Dispositivos eletrônicos de alta eficiência
- Dispositivos de microondas de alta frequência
- Detecço e imaginaço de alta energia
- Nova energia solar ou tecnologia de hidrogénio
- Ambiente Detecço e medicina biológica
- Faixa de terahertz da fonte luminosa
Especificações:
| Substratos GaN no polares autônomos ((a-plano e m-plano) | ||
| Ponto | GaN-FS-a | GaN-FS-m |
| Dimensões | 5.0 mm × 5,5 mm | |
| 5.0 mm × 10.0 mm | ||
| 5.0 mm × 20.0 mm | ||
| Tamanho personalizado | ||
| Espessura | 350 ± 25 μm | |
| Orientaço | a-plano ± 1° | m-plano ± 1° |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| Arco-íris | ≤ 20 μm | |
| Tipo de conduço | Tipo N | |
| Resistividade ((300K) | < 0,5 Ω·cm | |
| Densidade de dislocaço | Menos de 5x106cm-2 | |
| Área de superfície utilizável | > 90% | |
| Poluiço | Superfície frontal: Ra < 0,2 nm. Polida para epi | |
| Superfície traseira: solo fino | ||
| Pacote | Embalado num ambiente de sala limpa de classe 100, em recipientes de wafer único, sob uma atmosfera de nitrogénio. | |
Perguntas e respostas
P:O que é uma bolacha GaN?
A:AWafer de GaN(wafer de nitruro de gálio) é um substrato fino e plano feito de nitruro de gálio, um material semicondutor de banda larga que é amplamente utilizado em eletrônicos de alto desempenho.Os Wafers GaN so a base para a fabricaço de dispositivos eletrônicosEste material é especialmente importante em indústrias como a electrónica de potência, as telecomunicações,e iluminaço LED.
P:Porque é que o GaN é melhor que o silício?
A:GaN (nitruro de gálio) é melhor do que o silício em muitas aplicações de alto desempenho devido sualargura de banda(4,4 eV em comparaço com os 1,1 eV do silício), permitindo que os dispositivos GaN operem atensões mais elevadas,temperaturas, efrequências- O GaN.alta eficiêncialeva amenor produço de calorereduço da perda de energia, tornando-o ideal para eletrónica de potência,sistemas de carregamento rápido, eaplicações de alta frequênciaAlém disso, o GaN temmelhor condutividade térmicaComo resultado, os dispositivos baseados em GaN so mais compactos, energeticamente eficientes e confiáveis do que seus homólogos de silício.
Palavras-chave:#GaN #Nitreto de gálio #PowerElectronics #HighPerformance #Efficiency #LED #LaserProjection #EnergyEfficientLighting #HighFrequencyDevices #NonPolarGaN #FreestandingGaN #GaNSubstrates #MOCVD
a bolacha HVPE do nitreto do gálio de 5x5/10x10 milímetro livra o molde ereto da microplaqueta industrial
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