Módulo IGBT de transistor bipolar de porta isolada APT50GT60BRDQ2G Microsemi Corporation 50GT60
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:Negociável
Prazo de entrega:Negociável
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Capacidade da fonte:100000
Number modelo:APT50GT60BRDQ2G
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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APT50GT60BRDQ2G Módulo de potência IGBT Transistores IGBTs Simples
Especificações APT50GT60BRDQ2G
| Estado da peça | Ativo |
|---|---|
| Tipo IGBT | NPT |
| Tenso - Decomposiço do Emissor do Coletor (Máx.) | 600V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 110A |
| Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 150A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,5 V @ 15 V, 50 A |
| Potência - Máx. | 446 W |
| Energia de comutaço | 995µJ (ligado), 1070µJ (desligado) |
| Tipo de entrada | Padro |
| Taxa de Porto | 240nC |
| Td (ligado/desligado) @ 25°C | 14ns/240ns |
| Condiço de teste | 400 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V |
| Tempo de Recuperaço Reversa (trr) | 22ns |
| Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do orifício |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247 [B] |
| envio | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| condiço | Nova fábrica original |
Embalagem APT50GT60BRDQ2G
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