APT65GP60L2DQ2G Transistor do módulo de potência IGBT 600V 198A 833W TO264 Microsemi Corporation 65GP60
Lugar de origem:Original
Quantidade de ordem mínima:Negociável
Prazo de entrega:Negociável
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Capacidade da fonte:100000
Number modelo:APT65GP60L2DQ2G
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APT65GP60L2DQ2G IGBT Módulo de potência Transistores IGBTs Simples
Especificações APT65GP60L2DQ2G
| Estado da peça | No para novos designs |
|---|---|
| Tipo IGBT | PT |
| Tenso - Decomposiço do Emissor do Coletor (Máx.) | 600V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 198A |
| Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 250A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,7 V @ 15 V, 65 A |
| Potência - Máx. | 833 W |
| Energia de comutaço | 605µJ (ligado), 895µJ (desligado) |
| Tipo de entrada | Padro |
| Taxa de Porto | 210nC |
| Td (ligado/desligado) @ 25°C | 30ns/90ns |
| Condiço de teste | 400 V, 65 A, 5 Ohm, 15 V |
| Tempo de Recuperaço Reversa (trr) | - |
| Temperatura de operaço | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do orifício |
| Pacote / Estojo | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | - |
| envio | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| condiço | Nova fábrica original |
Embalagem APT65GP60L2DQ2G
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