Montagem de superfície do canal 1200 V 4.7A 65W do módulo N do transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
Number modelo:IMBG120R350M1HXTMA1
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Capacidade da fonte:1000000 unidades
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss):1200 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C:4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:468mOhm @ 2A, 18V
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Shenzhen China
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IMBG120R350M1HXTMA1 montagem PG-TO263-7-12 da superfície 65W do N-canal 1200 V 4.7A (Tc) (Tc)
Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™
Os módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ so os módulos do MOSFET do carboneto de silicone (sic) que oferecem bons níveis de flexibilidade de eficiência e de sistema. Estes módulos vêm com circuitos próximos do ponto inicial (NTC) e tecnologia do contato PressFIT. Os módulos de CoolSiC caracterizam a densidade atual alta, melhor em perdas do interruptor e da conduço da classe, e no baixo projeto indutivo. Estes módulos fornecem a operaço de alta frequência, densidade de poder aumentada, e tempo e custo aperfeiçoados de ciclo do desenvolvimento.
CARACTERÍSTICAS
- Densidade atual alta
- Melhor em perdas do interruptor e da conduço da classe
- Baixo projeto indutivo
- Baixas capacidades do dispositivo
- Um diodo intrínseco com carga reversa da recuperaço
- Sensor de temperatura integrado de NTC
- Tecnologia do contato PressFIT
- Eficiência elevada para reduzido refrigerar o esforço
- características Ponto-livres do em-estado
- Perdas de comutaço independentes da temperatura
- Operaço de alta frequência
- Densidade de poder aumentada
- Tempo e custo aperfeiçoados de ciclo do desenvolvimento
- RoHS complacente
ESPECIFICAÇÕES
- DF23MR12W1M1 e DF11MR12W1M1:
- Configuraço do impulsionador
- Configuraço 1B fácil
- Tecnologia M1
- classe da tenso 1200V
- dimensões de 62.8mm x de 33.8mm
- FF8MR12W2M1 e FF6MR12W2M1:
- Configuraço dupla
- Alojamento 2B fácil
- Tecnologia M1
- classe da tenso 1200V
- dimensões de 62.8mm x de 48mm
- F423MR12W1M1P:
- Configuraço de FourPack
- Configuraço 1B fácil
- Tecnologia M1
- classe da tenso 1200V
- dimensões de 62.8mm x de 33.8mm
- FF11MR12W1M1, FF45MR12W1M1, e FF23MR12W1M1:
- Configuraço dupla
- Alojamento 1B fácil
- Tecnologia M1
- classe da tenso 1200V
- dimensões de 62.8mm x de 33.8mm
- F3L11MR12W2M1:
- configuraço 3-level
- Configuraço 2B fácil
- Tecnologia M1
- classe da tenso 1200V
- dimensões de 42.5mm x de 51mm
- FS45MR12W1M1:
- Configuraço de SixPACK
- Alojamento 1B fácil
- Tecnologia M1
- classe da tenso 1200V
- dimensões de 62.8mm x de 33.8mm
GRÁFICO DE DESEMPENHO
Montagem de superfície do canal 1200 V 4.7A 65W do módulo N do transistor de IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT
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