Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED
Quantidade mínima de encomenda:5
Condições de pagamento:T/T
Capacidade de abastecimento:10000
Tempo de entrega:3-4 semanas
Tipo::Safira lisa
polonês:Único lado lustrado (SSP)/lado dobro lustrado (DSP)
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Shanghai Shanghai China
Endereço:
Prédio 11, Pista 1333, Avenida Jiangnan, Cidade de Changxing, Distrito de Chongming, Xangai
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Descriço:
As wafers epiaxiais se referem a produtos formados pelo crescimento
de uma nova camada de cristal único em um único substrato de
cristal.As placas epiaxiais determinam cerca de 70% do desempenho
dos dispositivos e so importantes matérias-primas para chips de
semicondutoresOs fabricantes de wafers epiaxiais usam equipamentos
de deposiço de vapor químico (CVD), equipamentos de epitaxia de
feixe molecular (MBE), equipamentos de HVPE, etc.para o cultivo de
cristais e produço de wafers epitaxial em materiais de substratoOs
wafers epitaxial so ento fabricados em wafers através de processos
como fotolitografia, deposiço de filme fino e gravaço.que passam
por processos de embalagem, tais como fixaço de substrato,
instalaço de envelopes protetores, ligaço de fios entre os pinos do
circuito do chip e os substratos externos, bem como ensaios de
circuito, ensaios de desempenho,e outras etapas de teste para
finalmente produzir o chipO processo de produço do chip acima
precisa manter a interaço com o processo de projeto do chip para
garantir que o chip final atenda aos requisitos de projeto do chip.
Com base no desempenho do nitruro de gálio, as placas epitaxiais de
nitruro de gálio so principalmente adequadas para aplicações de
alta potência, alta frequência, média e baixa tenso,
especificamente refletidas em:1) Largura de banda alta: A largura
de banda elevada melhora o nível de resistência tenso dos
dispositivos de nitruro de gálio, que podem produzir uma potência
superior aos dispositivos de arseniuro de gálio,especialmente
adequado para estações de base de comunicaço 5G, radar militar e
outros campos; 2) Alta eficiência de converso:A resistência de
conduço dos dispositivos eletrônicos de comutaço de potência de
nitruro de gálio é três ordens de grandeza inferior dos
dispositivos de silício, o que pode reduzir significativamente as
perdas de conduço do interruptor; 3) Alta condutividade térmica: A
elevada condutividade térmica do nitreto de gálio confere-lhe um
excelente desempenho de dissipaço de calor,com um dimetro superior
a 20 mm,, alta temperatura e outros campos; 4) Força do campo
elétrico de quebra: embora a força do campo elétrico de quebra do
nitruro de gálio seja semelhante do nitruro de silício,A tolerncia
de tenso dos dispositivos de nitruro de gálio é geralmente de cerca
de 1000V devido a fatores como tecnologia de semicondutores e
desajuste da rede do material, e a tenso de funcionamento segura é
geralmente inferior a 650V
Especificações:
Wafer epitaxial de 2 ′′ 6 polegadas tipo N GaN em safira para dispositivo PIN a laser LED
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