carcaça autônoma de GaN do si-GaN 10*10mm2 para o Iii-nitreto LDs

carcaça autônoma de GaN do si-GaN 10*10mm2 para o Iii-nitreto LDs

PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricaço para (nitreto do gálio) a bolacha autônoma da carcaça de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.

PAM-XIAMEN oferece a série completa de GaN e os materiais relacionados de III-N que incluem carcaças de GaN de várias orientações e condutibilidade elétrica, moldes do crystallineGaN&AlN, e epiwafers feitos sob encomenda de III-N.

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

carcaça autônoma de GaN do si-GaN 10*10mm2

carcaça autônoma de GaN do si-GaN 10*10mm2

O aumento da procura para capacidades demanipulaço de alta velocidade, de alta temperatura e altas fez reconsideraço da indústria do semicondutor a escolha dos materiais usados como semicondutores. Por exemplo, como os vários dispositivos de computaço mais rápidos e menores se levantam, o uso do silicone está fazendo difícil sustentar a lei de Moore. Mas igualmente na eletrônica de poder, as propriedades do silicone so já no suficientes para permitir umas melhorias mais adicionais na eficiência de converso.

Devido a suas tenso de diviso original das características (atual máximo alto, alto, e frequência de comutaço alta), nitreto do gálio (ou GaN) é o material original da escolha para resolver problemas de energia do futuro. GaN baseou sistemas tem a eficiência de poder mais alto, as perdas de poder assim da diminuiço, comutam em uma frequência mais alta, assim reduzindo o tamanho e o peso.

RELATÓRIO de superfície do material-TESTE da aspereza-GaN

Um relatório de teste é necessário para mostrar a conformidade entre a descriço feita sob encomenda e nossos dados finais das bolachas. Nós testaremos o characerization da bolacha pelo equipamento antes da expediço, testando a aspereza de superfície pelo microscópio atômico da força, o tipo pelo instrumento romano dos espectros, a resistividade pelo equipamento de testes da resistividade do no-contato, a densidade do micropipe pelo microscópio de polarizaço, a orientaço pelo raio X Orientator etc. se as bolachas cumprem a exigência, nós limparemos e para embalá-los no quarto desinfetado de 100 classes, se as bolachas no combinam as especs. do costume, nós retirá-las-emos.

A aspereza de superfície geralmente é encurtada aspereza e é um componente da textura de superfície. É determinada pelo desvio do sentido normal do vetor da superfície real de seu formulário ideal. Se estes desvios so grandes, a superfície é áspera; Se so pequenos, a superfície é lisa. Na medida de superfície, a aspereza é considerada geralmente ser o componente de alta frequência do comprimento da curto-onda da superfície da escala de mediço. Na prática, contudo, é frequentemente necessário conhecer a amplitude e a frequência para assegurar-se de que a superfície seja apropriada para uma finalidade.

Está abaixo um exemplo da aspereza de superfície do material de GaN:

Uma aspereza-gan de superfície

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.