Produtos Fornecedores Sign in Register

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

MATERIAL AVANÇADO CO. DE XIAMEN POWERWAY, LTD.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
7 Anos
Casa Catálogo de produtos Perfil da empresa Controle de qualidade Contate-nos Solicite um orçamento
Português
Casa / Produtos /

bolacha gan, sic bolacha

Categorias de Produtos

bolacha gan

 [36]

sic bolacha

 [44]

bolacha do gaas

 [20]

bolacha do inp

 [21]

Bolacha de InAs

 [16]

Bolacha de InSb

 [11]

Bolacha de GaSb

 [16]

Bolacha do germânio

 [15]

Bolacha de CdZnTe

 [1]

Bolacha de silicone

 [65]

Bolacha de vidro

 [1]
Contate
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Cidade:xiamen
Província / Estado:fujian
País / Região:china
Ver detalhes de contato
Contate
Destaque produtos
Veja mais »
China carcaça autônoma de N-GaN GaN do plano (de 20-2-1) com baixa densidade de for sale

carcaça autônoma de N-GaN GaN do plano (de 20-2-1) com baixa densidade de

China Uma carcaça sextavada autônoma Si-lubrificada plano do cristal de GaN GaN for sale

Uma carcaça sextavada autônoma Si-lubrificada plano do cristal de GaN GaN

China carcaça autônoma de 10*10mm2 N-GaN GaN, Epi-pronta com o lado dobro lustrado for sale

carcaça autônoma de 10*10mm2 N-GaN GaN, Epi-pronta com o lado dobro lustrado

China (11-22) aplane o nitreto autônomo do gálio de U-GaN (GaN) Crystal Substrate for sale

(11-22) aplane o nitreto autônomo do gálio de U-GaN (GaN) Crystal Substrate

China carcaça autônoma de N-GaN GaN do plano (de 10-11) para Nonodevices for sale

carcaça autônoma de N-GaN GaN do plano (de 10-11) para Nonodevices

China Carcaça autônoma de GaN do si-GaN Nonpolar do plano de M para diodos de barreira for sale

Carcaça autônoma de GaN do si-GaN Nonpolar do plano de M para diodos de barreira

China 10*10mm2 MG-lubrificou carcaças de GaN Epitaxial Wafers On Sapphire para GaN for sale

10*10mm2 MG-lubrificou carcaças de GaN Epitaxial Wafers On Sapphire para GaN

China 2 polegadas queisolam a bolacha de GaN em carcaças da safira pelo MOCVD for sale

2 polegadas queisolam a bolacha de GaN em carcaças da safira pelo MOCVD

China Estrutura maioria autônoma do diodo emissor de luz, do LD ou do HEMT de um N-GaN for sale

Estrutura maioria autônoma do diodo emissor de luz, do LD ou do HEMT de um N-GaN

China Carcaças autônomas de um GaN de 4 polegadas como materiais do semicondutor do for sale

Carcaças autônomas de um GaN de 4 polegadas como materiais do semicondutor do

Vamos fornecer a qualidade bolacha gan, sic bolacha, bolacha do gaas

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. in China
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. in China
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. in China
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. in China
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
  O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de...
Contate
Factory tour → Controle de qualidade →

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4