Uma carcaça autônoma plana de U-GaN Hvpe-GaN para dispositivos do Iii-nitreto

Uma carcaça autônoma plana de U-GaN Hvpe-GaN para dispositivos do Iii-nitreto

PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricaço para (nitreto do gálio) a bolacha autônoma da carcaça de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.

PAM-XIAMEN oferece a série completa de GaN e os materiais relacionados de III-N que incluem carcaças de GaN de várias orientações e condutibilidade elétrica, moldes do crystallineGaN&AlN, e epiwafers feitos sob encomenda de III-N.

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

Uma carcaça autônoma plana de U-GaN GaN

Uma carcaça autônoma plana de U-GaN GaN

A carcaça do GaN de PAM-XIAMEN (nitreto do gálio) é carcaça singlecrystal com de alta qualidade, que é feito com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha. So uniformidade altamente cristalina, boa, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN so usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde), além disso o desenvolvimento progrediu para aplicações do dispositivo eletrónico do poder e da alta frequência.

GaN é um muito duro (12±2 GPa, material largo mecanicamente estável do semicondutor do bandgap com capacidade de calor elevado e condutibilidade térmica. Em seu formulário puro resiste rachar-se e pode ser depositado no filme fino no carboneto da safira ou de silicone, apesar da má combinaço em suas constantes da estrutura. GaN pode ser lubrificado com silicone (Si) ou com n-tipo do oxigênio e com p-tipo de (Mg) do magnésio. Contudo, mudança dos átomos do si e do magnésio a maneira que os cristais de GaN crescem, introduzindo esforços elásticos e fazendo os frágeis. Os compostos de Galliumnitride igualmente tendem a ter uma densidade de deslocaço alta, na ordem de 108 a 1010 defeitos pelo centímetro quadrado. O comportamento largo de faixa-Gap de GaN é conectado s mudanças específicas na estrutura de faixa eletrônica, na ocupaço da carga e nas regiões da ligaço química.

Constante da estrutura da carcaça de GaN

Os parmetros da estrutura do nitreto do gálio foram medidos usando a difraço alta do raio do ‐ da definiço x do ‐

GaN, sructure do Wurtzite. As constantes a da estrutura contra a temperatura.

GaN, sructure do Wurtzite. As constantes c da estrutura contra a temperatura

Propriedades da carcaça de GaN

Aplicaço da carcaça de GaN

O nitreto do gálio (GaN), com uma diferença de faixa direta do eV 3,4, é um material prometedor no desenvolvimento de dispositivos luminescentes do curto-comprimento de onda. Outros pedidos de dispositivo ótico para GaN incluem lasers do semicondutor e detectores óticos.

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.