2 polegadas GaN Undoped em carcaças da safira para o diodo emissor de luz e a tecnologia de circuito integrado da iluminação

2 polegadas GaN Undoped em carcaças da safira para o diodo emissor de luz e a tecnologia de circuito integrado da iluminaço
Os produtos do molde de PAM-XIAMEN consistem em camadas cristalinas de nitreto do gálio (GaN), do nitreto de alumínio (AlN), do nitreto de alumínio do gálio (AlGaN) e do nitreto do gálio do índio (InGaN), que so depositados em carcaças da safira. Os produtos do molde de PAM-XIAMEN permitem 20-50% vezes de ciclo mais curtos da epitaxia e umas camadas epitaxial mais de alta qualidade do dispositivo, com melhor qualidade estrutural e condutibilidade térmica mais alta, que podem melhorar dispositivos no custo, no rendimento, e no desempenho.
 
O PAM-XIAMEN'sGaN em moldes da safira está disponível nos dimetros de 2" até 6", e consiste em uma camada fina de GaN cristalino crescida em uma carcaça da safira. moldes Epi-prontos agora disponíveis.
 
Mostra aqui a especificaço de detalhe:
2inch carcaças Undoped de GaN/safira

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2inch carcaças Undoped de GaN/safira
Relatório de FWHM e de XRD
Um relatório de teste é necessário para mostrar a conformidade entre a descriço feita sob encomenda e nossos dados finais das bolachas. Nós testaremos o characerization da bolacha pelo equipamento antes da expediço, testando a aspereza de superfície pelo microscópio atômico da força, o tipo pelo instrumento romano dos espectros, a resistividade pelo equipamento de testes da resistividade do no-contato, a densidade do micropipe pelo microscópio de polarizaço, a orientaço pelo raio X Orientator etc. se as bolachas cumprem a exigência, nós limparemos e para embalá-los no quarto desinfetado de 100 classes, se as bolachas no combinam as especs. do costume, nós retirá-las-emos.
 
Projeto de teste: Projeto de FWHM e de XRD
A largura completa da metade-altura (FWHM) é uma expresso da escala das funções dadas pela diferença entre dois valores extremos da variável independente igual metade de seu máximo. Ou seja está a uma largura da curva espectral medida entre aqueles pontos na Y-linha central, que é metade da amplitude máxima.
 
Está abaixo um exemplo de FWHM e de XRD do molde de AlN:

FWHM e XRD do molde de AlN

FWHM e XRD do molde de AlN
 
Aqui nós mostramos a experiência como um exemplo:
Experiência em GaN na safira: Propriedades Optoelectronic e caracterizaço estrutural de filmes grossos de GaN em carcaças diferentes com o depósito do laser pulsado:
 
Experiência em GaN na safira: Propriedades Optoelectronic e caracterizaço estrutural de filmes grossos de GaN em carcaças diferentes com o depósito do laser pulsado:
Todas as amostras do filme de GaN foram depositadas em carcaças diferentes por PLD no ◦C 1000 em uma atmosfera ambiental do plasma do nitrogênio. A cmara foi bombeada para baixo aos Torr 10−6 antes que o processo do depósito começou, e o gás do N2 (com uma pureza de 99,999%) foi introduzido. A presso de funcionamento uma vez que o plasma do N2 foi injetado era o Torr 1,13 do × 10−4. Um laser do excimer de KrF (λ = 248 nanômetro, Lambda Physik, Fort Lauderdale, FL, EUA) foi empregado como a fonte da ablaço e operado com uma taxa da repetiço de 1 hertz e de uma energia de pulso de 60 mJ. A taxa de crescimento média do filme de GaN era aproximadamente 1 µm/h. O raio laser era incidente em um alvo de gerencio em um ngulo de 45◦. O alvo de GaN foi fabricado por HVPE e por grupo em uma distncia fixa de 9 cm da carcaça antes de ser girado em 30 RPM durante o depósito do filme. Neste caso, ~4 filmes µm-grossos de GaN foram crescidos em um molde de GaN/safira (amostra A), safira (amostra B), si (111) (amostra C), e si (100) (amostra D). Para o GaN na amostra A, uma camada de 2-µm GaN foi depositada em primeiro lugar na carcaça da safira pelo MOCVD. A microscopia de elétron da exploraço (SEM, S-3000H, Hitachi, Tóquio, Japo), o microcopy do elétron da transmisso (TEM, H-600, Hitachi, Tóquio, Japo), a microscopia atômica da força (AFM, DI-3100, Veeco, New York, NY, EUA), a difraço de raio X do dobro-cristal (XRD, X'Pert PRO MRD, PANalytical, Almelo, os Países Baixos), o photoluminescence de baixa temperatura (PL, Flouromax-3, Horiba, Tóquio, Japo), e a espectroscopia de Raman (Jobin Yvon, Horiba, Tóquio, Japo) foram empregados para explorar a microestrutura e as propriedades óticas dos moldes de GaN depositados em carcaças diferentes. As propriedades elétricas dos filmes de GaN foram determinadas pela medida de Van der Pauw-Salo sob o nitrogênio líquido que refrigera em 77 K
 
 
Figura 2 mostra uma comparaço dos testes padrões típicos de XRD de 0002) filmes de GaN (crescidos em carcaças diferentes. Pode-se ver que há uma variaço no valor de FWHM (dos 0002) picos da difraço, e as intensidades do pico da difraço de GaN nas carcaças diferentes foram obtidas ao redor de 34,5 graus. A intensidade de GaN (0002) na amostra A é a mais forte entre todas as amostras, que indica que os filmes de GaN no molde de GaN/safira altamente c-esto orientados e têm a melhor qualidade cristalina. O FWHM de GaN (0002) avalia para as amostras A, B, C, e D foi medido em 0.19◦, 0.51◦, 0.79◦, e 1.09◦, respectivamente. Contudo, a intensidade máxima de XRD aumenta enquanto FWHM diminui; isto é atribuído ao aumento no tamanho do cristalite devido agregaço de grões pequenas ou ao movimento do limite de gro durante o processo do crescimento. Desde que o FWHM do pico da difraço de XRD é relativo ao tamanho de gro médio do cristalite no filme [26], o tamanho de gro de GaN crescido nas carcaças diferentes é calculado usando a equaço de Debye-Scherer [27]: D = 0.9λ/FWHMcosθ (1) onde D é o tamanho do cristalite, λ so o comprimento de onda do raio X, e o θ é o ngulo da difraço. Os tamanhos do cristalite de amostras A, B, C, e D so calculados para ser 57, 20, 13, e 9 nanômetro, respectivamente. Estes resultados indicam que a qualidade cristalina dos filmes de GaN crescidos nas amostras A e B é melhor do que aquela dos filmes crescidos em amostras C e D. Appl. Sci. 2017, 7, 87 3 de 9 GaN/moldes da safira so altamente ‐ de c orientado e têm a melhor qualidade cristalina. O FWHM de GaN (0002) avalia para as amostras A, B, C, e D foi medido em 0.19°, 0.51°, 0.79°, e 1.09°, respectivamente. Contudo, a intensidade máxima de XRD aumenta enquanto FWHM diminui; isto é atribuído ao aumento no tamanho do cristalite devido agregaço de grões pequenas ou ao movimento do limite de gro durante o processo do crescimento. Desde que o FWHM do pico da difraço de XRD é relativo ao tamanho de gro médio do cristalite no filme [26], o tamanho de gro de GaN crescido nas carcaças diferentes é calculado usando a equaço de Scherer do ‐ de Debye [27]: D = 0.9λ/FWHMcos θ (1) onde D é o tamanho do cristalite, λ so o comprimento de onda do raio do ‐ de X, e o θ é o ngulo da difraço. Os tamanhos do cristalite de amostras A, B, C, e D so calculados para ser 57, 20, 13, e 9 nanômetro, respectivamente. Estes resultados indicam que o c

 
Figura 2. resultados das medidas de (XRD) da difraço de raio X dos filmes de GaN crescidos em carcaças diferentes
 
Concluso: os lms grossos do fi de GaN crescidos em um molde de GaN/safira, na safira, no si (111), e no si (100) por PLD de alta temperatura. O efeito da carcaça na qualidade cristalina do crescimento de GaN, a morfologia de superfície, o comportamento do esforço, e a propriedade da relaço foram estudados, se você precisa mais informações sobre o produto, inquirem-nos por favor.
 

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.