Tipo autônomo da carcaça N de GaN ou semi - isolando para o Rf, o poder, conduzido e o Ld

Carcaça autônoma de GaN, tipo de N, Semi-isolando para o Rf, o poder, conduzido e o Ld

Carcaça autônoma de GaN

PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricaço para (nitreto do gálio) o   autônomo da bolacha da carcaça do   de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.

Especificaço da carcaça autônoma de GaN

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

carcaça autônoma de GaN de 2 ″ (50.8mm) (nitreto do gálio)

carcaça autônoma de GaN de 1,5 ″ (38.1mm)

15mm, 10mm, carcaça autônoma de 5mm GaN

Nota:

Bolacha da validaço: Considerando a conveniência do uso, bolacha da validaço da safira do ″ da oferta 2 de PAM-XIAMEN para abaixo da carcaça autônoma de GaN do tamanho de 2 ″

Aplicaço da carcaça de GaN

Iluminaço de circuito integrado: Os dispositivos de GaN so usados como os diodos luminescentes de brilho ultra alto (diodo emissor de luz), tevês, automóveis, e iluminaço geral

Armazenamento de DVD: Diodos láser azuis

Dispositivo de poder: Os dispositivos de GaN so usados como vários componentes na eletrônica de poder de alta potência e de alta frequência como estações base, satélites, amplificadores de potência, e inversores/conversores celulares para veículos elétricos (EV) e veículos elétricos híbridos (HEV). A baixa sensibilidade de GaN radiaço ionizante (como outros nitretos do grupo III) faz-lhe um material apropriado para aplicações spaceborne tais como disposições de célula solar para satélites e dispositivos de alta potência, de alta frequência para uma comunicaço, tempo, e satélites da fiscalizaço

Ideal para o re-crescimento dos Iii-nitretos

Estações base sem fio: Transistor de poder do RF

Acesso de faixa larga sem fio: MMICs de alta frequência, RF-circuitos MMICs

Sensores da presso: MEMS

Sensores do calor: detectores Pyro-bondes

Acondicionamento de poder: Integraço do sinai ambíguo GaN/Si

Eletrônica automotivo: Eletrônica de alta temperatura

Linhas de transmisso de energia: Eletrônica de alta tenso

Sensores do quadro: Detectores UV

Células solares: A diferença de faixa larga de GaN cobre o espectro solar de 0,65 eV ao eV 3,4 (que é praticamente o espectro solar inteiro), fazendo o nitreto do gálio do índio

(InGaN) liga perfeito para criar o material da célula solar. Devido a esta vantagem, as células solares de InGaN crescidas em carcaças de GaN poised para transformar-se um das novas aplicações e do mercado os mais importantes do crescimento para bolachas da carcaça de GaN.

Ideal para HEMTs, FETs

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.