Estrutura maioria autônoma do diodo emissor de luz, do LD ou do HEMT de um N-GaN GaN Substrates For de 2 polegadas

Brand Name:PAM-XIAMEN
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carcaças autônomas de 2inch N-GaN GaN

PAM-XIAMEN estabeleceu a tecnologia de fabricaço para (nitreto do gálio) a bolacha autônoma da carcaça de GaN que é para UHB-LED e LD. Crescido pela tecnologia de (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, nossa carcaça de GaN tem a baixa densidade do defeito e o menos ou densidade macro livre do defeito.

 

PAM-XIAMEN oferece a série completa de GaN e os materiais relacionados de III-N que incluem carcaças de GaN de várias orientações e condutibilidade elétrica, moldes do crystallineGaN&AlN, e epiwafers feitos sob encomenda de III-N.

 

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

carcaças autônomas de 2inch N-GaN GaN

ArtigoPAM-FS-GaN-50-N
Dimenso50,8 ±1 milímetro
Espessura350 ±25 μm 430±25μm
OrientaçoPlano de C (0001) fora do ngulo para a M-linha central 0,35 ±0.15°
Orientaço lisa(1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 milímetro
Orientaço secundária lisa(11-20) 0 ±3°, 8 ±1 milímetro
Tipo da conduçoN-tipo
Resistividade (300K)

>106 Ω·cm

TTV< 0,05 Ω·cm
CURVA-20 μm do ≤ 20 da CURVA do ≤ do μm
Aspereza de superfície:

Parte anterior: Ra<0.2nm, epi-pronto;

Verso: Terra fina ou lustrado.

Densidade de deslocaçoDe 1 x de 105 a 5 x de 10 6 cm -2 (calculado pelo CL) *
Densidade macro do defeito< 2 cm-2
Área útil> 90% (excluso dos defeitos da borda e do macro)
Pacotecada um no único recipiente da bolacha, sob a atmosfera do nitrogênio, embalada no quarto desinfetado da classe 100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

carcaças autônomas de 2inch N-GaN GaN

O aumento da procura para capacidades demanipulaço de alta velocidade, de alta temperatura e altas fez reconsideraço da indústria do semicondutor a escolha dos materiais usados como semicondutores. Por exemplo, como os vários dispositivos de computaço mais rápidos e menores se levantam, o uso do silicone está fazendo difícil sustentar a lei de Moore. Mas igualmente na eletrônica de poder, as propriedades do silicone so já no suficientes para permitir umas melhorias mais adicionais na eficiência de converso.

Devido a suas tenso de diviso original das características (atual máximo alto, alto, e frequência de comutaço alta), nitreto do gálio (ou GaN) é o material original da escolha para resolver problemas de energia do futuro. GaN baseou sistemas tem a eficiência de poder mais alto, as perdas de poder assim da diminuiço, comutam em uma frequência mais alta, assim reduzindo o tamanho e o peso.

 

RELATÓRIO do material-TESTE de Transmitance-GaN

Um relatório de teste é necessário para mostrar a conformidade entre a descriço feita sob encomenda e nossos dados finais das bolachas. Nós testaremos o characerization da bolacha pelo equipamento antes da expediço, testando a aspereza de superfície pelo microscópio atômico da força, o tipo pelo instrumento romano dos espectros, a resistividade pelo equipamento de testes da resistividade do no-contato, a densidade do micropipe pelo microscópio de polarizaço, a orientaço pelo raio X Orientator etc. se as bolachas cumprem a exigência, nós limparemos e para embalá-los no quarto desinfetado de 100 classes, se as bolachas no combinam as especs. do costume, nós retirá-las-emos.

 

O transmitncia da superfície da bolacha é a eficácia de sua transmisso da energia radiative. Comparado com o coeficiente de transmisso, é a fraço do poder eletromagnético do incidente transmitido através da amostra, e o coeficiente de transmisso é a relaço do campo bonde transmitido ao campo bonde do incidente.

 

Transmitance do material de GaN

 
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Estrutura maioria autônoma do diodo emissor de luz, do LD ou do HEMT de um N-GaN GaN Substrates For de 2 polegadas

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