sic carcaça 6H ou 4H, tipo de N ou Semi-isolamento - bolacha de Powerway

Descriço do produto

PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6H sic e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produço carcaça do fabricante sic, que é aplicada no dispositivo da epitaxia de GaN, nos dispositivos de poder, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

6H N-TYPE sic, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 2 ″ (50.8mm)

4H queISOLA sic, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 2 ″ (50.8mm)

(A carcaça deisolamento da Alto-pureza (HPSI) sic está disponível)

N-tipo 4H ou Semi-isolamento SIC, 5mm*5mm, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 10mm*10mm: Espessura: 330μm/430μm

N-tipo 4H ou Semi-isolamento SIC, 15mm*15mm, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 20mm*20mm: Espessura: 330μm/430μm

4H N-TYPE sic, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 2 ″ (50.8mm)

4H N-TYPE sic, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 3 ″ (76.2mm)

4H queISOLA sic, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 3 ″ (76.2mm)

(A carcaça deisolamento da pureza alta (HPSI) sic está disponível)

4H N-TYPE sic, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 4 ″ (100mm)

N-tipo 4H ou semi-isolamento SIC, 5mm*5mm, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 10mm*10mm: Espessura: 330μm/430μm

N-tipo 4H ou semi-isolamento SIC, 15mm*15mm, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 20mm*20mm: Espessura: 330μm/430μm

do um-plano bolacha sic, tamanho: 40mm*10mm, 30mm*10mm, 20mm*10mm, 10mm*10mm, especs. abaixo:

Tipo espessura de 6H/4H N: 330μm/430μm ou costume

Espessura 6H/4H deisolamento: 330μm/430μm ou costume

4H sic, SEMI-ISOLANDO, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 4 ″ (100mm)

(A carcaça deisolamento da Alto-pureza (HPSI) sic está disponível)

4H sic, N-TYPE, ESPECIFICAÇO da BOLACHA de 6 ″ (150mm)

Veja por favor o secundário-catálogo abaixo:

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.