Tipo sic bolacha de C (0001) 6H N, categoria da pesquisa, Epi pronto, 2" tamanhos

 
tipo sic bolacha de 6H N, categoria da pesquisa, Epi pronto, 2" tamanhos
 
PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6HSiC e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produço ao fabricante SiCsubstrate, que é aplicado em GaNepitaxydevice, em powerdevices, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Mostra aqui a especificaço de detalhe
 
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PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
 

 
 
tipo sic bolacha de 6H N, categoria da pesquisa, Epi pronto, 2" tamanhos
 
 

 
Crescimento sic de cristal
O crescimento de cristal maioria é a técnica para a fabricaço de carcaças monocristalinas, fazendo a base para um processamento mais adicional do dispositivo. Para ter uma descoberta sic na tecnologia obviamente nós precisamos a produço sic de carcaça com um process.6H- reprodutível e os cristais 4H- so crescidos sic em uns cadinhos da grafite em altas temperaturas até 2100-2500°C. que a temperatura de funcionamento no cadinho é fornecida pelo aquecimento indutivo (RF) ou resistive. O crescimento ocorre sic em sementes finas. A fonte representa sic a carga policristalina do pó. Sic o vapor na cmara de crescimento consiste principalmente em três espécies, a saber, si, Si2C, e SiC2, que so diluídos pelo gás de portador, por exemplo, argônio. Sic a evoluço da fonte inclui a variaço de tempo da porosidade e do dimetro do grnulo e o graphitization dos grnulo do pó.
 
parmetro da estrutura
A constante da estrutura, ou o parmetro da estrutura, referem a distncia constante entre pilhas de unidade em uma estrutura de cristal. As estrutura em três dimensões têm geralmente três constantes da estrutura, referidas como a, b, e C. Contudo, na caixa especial de estruturas de cristal cúbicas, todas as constantes so iguais e nós referimos somente o A. Similarmente, em estruturas de cristal sextavadas, as constantes de um andb so iguais, e nós referimos somente as constantes da e de c. Um grupo de constantes da estrutura podia ser referido como parmetros da estrutura. Contudo, o conjunto completo de parmetros da estrutura consiste nas três constantes da estrutura e nos três ngulos entre eles.
Por exemplo a estrutura constante para um diamante comum do carbono está a = 3.57Å em 300 K. A estrutura é equilateral embora sua forma real no possa ser determinada somente da constante da estrutura. Além disso, em aplicações reais, a constante média da estrutura é dada tipicamente. Porque as constantes da estrutura têm a dimenso do comprimento, sua unidade do SI é o medidor. As constantes da estrutura so tipicamente na ordem de diversos ångströms (isto é décimos do nanômetros). As constantes da estrutura podem ser técnicas de utilizaço determinadas tais como a difraço de raio X ou com um microscópio atômico da força.
No crescimento epitaxial, a constante da estrutura é uma medida da compatibilidade estrutural entre materiais diferentes. A harmonizaço da constante da estrutura é importante para o crescimento de camadas finas de materiais em outros materiais; quando as constantes diferem, as tensões esto introduzidas na camada, que impede o crescimento epitaxial de umas camadas mais grossas sem defeitos. 

 

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.