Tipo sic bolacha da Fora-linha central 4H N de semicondutor, categoria da pesquisa, 3" tamanho

Tipo sic bolacha da Fora-linha central 4H N de semicondutor, categoria da pesquisa, 3" tamanho
 

PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6H sic e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produço ao fabricante SiCsubstrate, que é aplicado em GaNepitaxydevice, em powerdevices, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.

Mostra aqui a especificaço de detalhe:
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
 

tipo sic bolacha de 4H N de semicondutor, categoria da pesquisa, 3" tamanho

defeitos sic de cristal

A maioria dos defeitos que foram observados dentro sic foram observados igualmente em outros materiais cristalinos. Como as deslocações,

falhas de empilhamento (SFs), limites (LABs) do baixo ngulo e gêmeos. Alguns outro aparecem nos materiais que têm a mistura do zing ou

a estrutura de Wurtzite, como o IDBs. Micropipes e as inclusões de outras fases aparecem principalmente dentro sic.
Operaço de alta temperatura do dispositivo
A energia larga do bandgap e a baixa concentraço de portador intrínseco de sic reservam sic manter
comportamento do semicondutor em temperaturas muito mais altas do que o silicone, que permite por sua vez sic o semicondutor
funcionalidade do dispositivo em temperaturas muito mais altas do que o silicone. Como discutido em básico
os livros de texto da física do dispositivo eletrónico do semicondutor, dispositivos eletrónicos do semicondutor funcionam
na variaço da temperatura onde os portadores intrínsecos so insignificantes de modo que a condutibilidade seja controlada perto
impurezas intencionalmente introduzidas do entorpecente. Além disso, a concentraço de portador intrínseco
 é um prefactor fundamental s equações conhecidas que governam escapamento indesejado da reverso-polarizaço da junço
correntes. Enquanto a temperatura aumenta, os portadores intrínsecos aumentam exponencialmente de modo que escapamento indesejado
as correntes crescem inaceitavelmente grandes, e eventualmente em mais altas temperaturas imóveis, o semicondutor
a operaço do dispositivo está superada por condutibilidade descontrolada enquanto os portadores intrínsecos excedem intencional
dopings do dispositivo. Segundo o projeto específico do dispositivo, a concentraço de portador intrínseco de silicone
limita geralmente a operaço do dispositivo do silicone s temperaturas de junço <300>a concentraço de portador que do intrinsic permite teoricamente a operaço do dispositivo no excesso das temperaturas de junço
a operaço do dispositivo de 800°C. 600°C foi demonstrada sic experimentalmente no uma variedade de
Sic dispositivos.
A capacidade para colocar eletrônica de alta temperatura uncooled do semicondutor diretamente em quente
os ambientes permitiriam benefícios importantes perfuraço automotivo, aeroespacial, e profunda-bem
indústrias. No caso dos motores automotivos e aeroespaciais, telemetria eletrônica melhorada e
o controle das regiões de alta temperatura do motor é necessário mais precisamente ao controle a combusto
processo para melhorar a eficácia do combustível ao reduzir-se poluindo emissões. Capacidade de alta temperatura
elimina o desempenho, a confiança, e as penas associadas com refrigerar líquido, fs do peso, térmicos
a proteço, e um fio mais longo correm necessário para realizar a funcionalidade similar na utilizaço dos motores convencional
eletrônica do semicondutor do silicone.

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.