4H queisola sic a bolacha com baixo TTV/BOW/WARP, categoria do manequim, 3" tamanho

4H queisola sic a bolacha com baixo TV/BOW/WARP, categoria do manequim, 3" tamanho

PAM-XIAMEN fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) para a indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é propriedades elétricas originais de um materialwith do semicondutor da próxima geraço e propriedades térmicas excelentes para a aplicaço do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no dimetro 2~6 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível.

Aplicaço de Semi-isolar sic a bolacha do manequim:

Sic o manequim que a bolacha pode se usar dentro pesquisa de campos térmicos e mecnicos, e a aplicaço do detalhe deve ser como segue:

1. Pesquisa na condutibilidade sic térmica
2.Researches sic do fono
3.Resarches sic na dureza e em propriedades mecnicas

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PROPRIEDADES DE SEMI-ISOLAR O MATERIAL DO CARBONETO DE SILICONE

4H queisola sic a bolacha, categoria do manequim, 3" tamanho

defeitos sic de cristal

A maioria dos defeitos que foram observados dentro sic foram observados igualmente em outros materiais cristalinos. Como as deslocações, as falhas de empilhamento (SFs), os limites (LABs) do baixo ngulo e os gêmeos. Alguns outro aparecem nos materiais que têm a mistura do zing ou a estrutura de Wurtzite, como o IDBs. Micropipes e as inclusões de outras fases aparecem principalmente dentro sic.

Falta histórica sic de bolachas

As bolachas reprodutíveis da consistência, do tamanho, da qualidade, e da disponibilidade razoáveis so uma produço em massa forcommercial necessária de eletrônica do semicondutor. Muitos materiais do semicondutor podem ser meltedand recrystallized reprodutivelmente em grandes únicos cristais com o auxílio de um cristal de semente, como no método do theCzochralski empregado na fabricaço de quase todas as bolachas de silicone, permitindo razoavelmente largewafers de ser mass produced. Contudo, porque sublimes sic em vez do derretimento razoavelmente em attainablepressures, sic no pode ser crescido por técnicas convencionais do derretimento-crescimento. Antes de 1980, os dispositivos eletrónicos do experimentalSiC foram limitados ao plateletsgrown sic de cristal pequeno (tipicamente ~1), irregularmente dado forma enquanto um byproduct do processo de Acheson para fabricar abrasivos industriais (por exemplo, lixa) ou pelo processo de Lely. No processo de Lely, sublimed sic dos attemperatures policristalinos do pó perto de 2500°C so condensados sic aleatoriamente nas paredes de uma cavidade que forma plaqueta pequenas, hexagonallyshaped. Quando estes cristais pequenos, irreproduzíveis permitiram algum sic electronicsresearch básico, no eram claramente apropriados para a produço em massa do semicondutor. Como tal, o silicone transformou-se semicondutor thedominant que abastece a revoluço de tecnologia de circuito integrado, quando o interesse em microelectronicswas SIC-baseados limitou.

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.