pureza 4H alta que isola semi sic a bolacha, categoria da produção, 3" tamanho, baixa concentração de portador

pureza 4H alta que isola semi sic a bolacha, categoria da produço, 3" tamanho, baixa concentraço de portador

PAM-XIAMEN fornece a indústria eletrônica e optoelectronic de alta qualidade do waferfor do único cristal sic (carboneto de silicone). Sic a bolacha é propriedades elétricas originais de um materialwith do semicondutor da próxima geraço e propriedades térmicas excelentes para a aplicaço do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no dimetro 2~6 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informaço

Pureza alta que isola semi sic a bolacha: Devido diferença de faixa larga, a concentraço de portador intrínseco sic de bolacha é muito baixa na temperatura ambiente. Este valor é sobre 0.13cm-3 para 3C sic, sobre 5x10^-2cm2 para 4H sic e sobre 1x10^- 6 cm-3 para 6H sic. Esta é a razo principal pela qual sic os dispositivos eletrónicos podem trabalhar na alta temperatura e a corrente do escapamento é muito pequena.

 
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

 
pureza 4H alta que isola semi sic a bolacha, categoria da produço, 3" tamanho

Crescimento sic de cristal

O crescimento de cristal maioria é a técnica para a fabricaço de carcaças monocristalinas, fazendo a base para um processamento mais adicional do dispositivo. Para ter uma descoberta sic na tecnologia obviamente nós precisamos a produço sic de carcaça com um process.6H- reprodutível e os cristais 4H- so crescidos sic em uns cadinhos da grafite em altas temperaturas até 2100-2500°C. que a temperatura de funcionamento no cadinho é fornecida pelo aquecimento indutivo (RF) ou resistive. O crescimento ocorre sic em sementes finas. A fonte representa sic a carga policristalina do pó. Sic o vapor na cmara de crescimento consiste principalmente em três espécies, a saber, si, Si2C, e SiC2, que so diluídos pelo gás de portador, por exemplo, argônio. Sic a evoluço da fonte inclui a variaço de tempo da porosidade e do dimetro do grnulo e o graphitization dos grnulo do pó.

 
Crescimento de 3C-SiC em carcaças da grande área (silicone)
Apesar da ausência sic de carcaças, os benefícios potenciais sic da eletrônica do hostil-ambiente no obstante conduziram a obtenço visada modesta dos esforços de pesquisa sic em um formulário manufacturable da bolacha. Para esta extremidade, o crescimento heteroepitaxial do único-cristal mergulha sic sobre siliconsubstrates da grande área foi realizado primeiramente em 1983, e seguido subseqentemente por um grande muito outro ao longo dos anos que usa uma variedade de técnicas do crescimento. Primeiramente devido s grandes diferenças na estrutura constante (diferença de ~20% no meio sic e si) e no coeficiente da expanso térmica (diferença de ~8%), heteroepitaxy sic de usar o silicone como uma carcaça conduz sempre ao crescimento de 3C-SiC com um muito high-density de defeitos estruturais crystallographic tais como falhas de empilhamento, microtwins, e limites do domínio da inverso. Outros materiais da bolacha do largearea além do silicone (tal como a safira, o silicone-em-isolador, e o tique) foram empregados como carcaças para o crescimento heteroepitaxial sic de epilayers, mas os filmes resultantes foram da qualidade do comparablypoor com densidades crystallographic altas do defeito. A aproximaço 3C-SiC-on-silicon a mais prometedora até agora que conseguiu a mais baixa densidade crystallographic do defeito envolve o uso de carcaças de silicone undulant. Contudo, mesmo com esta aproximaço altamente nova, as densidades de deslocaço permanecem muito altas comparadas s bolachas sextavadas do silicone e do volume sic.
Quando alguns dispositivos eletrónicos e circuitos limitados do semicondutor forem executados em 3C-SiC crescidos no silicone, o desempenho dos estes eletrônica (até data desta escrita) pode ser resumido como limitado severamente pelo alto densidade de defeitos crystallographic ao grau que quase nenhum dos benefícios operacionais discutidos na seço 5,3 foi realizado vivel. Entre outros problemas, os defeitos de cristal “escapam” a corrente parasítica através das junções reverso-inclinadas do dispositivo onde o fluxo atual no é desejado. Porque os defeitos de cristal excessivos conduzem aos defeitos do dispositivo bonde, no há até agora nenhuma eletrônica comercial fabricada em 3C-SiC crescido em carcaças da grande área. Assim, 3C-SiC crescido no silicone tem presentemente mais potencial porque um material mecnico em aplicações microelectromechanical dos sistemas (MEMS) (seço 5.6.5) em vez da utilizaço puramente como um semicondutor na eletrônica de circuito integrado tradicional do transistor.

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.