tipo de 4H N sic, categoria do manequim, 6" tamanho para a bolacha ou teste de corrida do equipamento

tipo de 4H N sic, categoria do manequim, 6" tamanho

PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6H sic e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produço ao fabricante SiCsubstrate, que é aplicado em GaNepitaxydevice, em powerdevices, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

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Propriedades do único cristal sic

Aqui nós comparamos a propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, CubicSiC, único cristal sic.

Propriedade do   do carboneto de silicone (sic)

Comparaço da propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, cúbico sic, único cristal sic:

*Reference: Manual da ciência e da engenharia de materiais do centro de detecço e de controlo

Comparaço da propriedade do único cristal sic, do 6H e do 4H:

*Reference: Material avançado Co. de Xiamen Powerway, Ltd.

Comparaço da propriedade de 3C-SiC, de 4H-SiC e de 6H-SiC:

* referência: IOFFE

Sic referência do fabricante 4H e sic 6H: PAM-XIAMEN é o colaborador principal do mundo da tecnologia de circuito integrado da iluminaço, ele oferece uma linha completa: De Sinlge do cristal bolacha sic e bolacha epitaxial e sic recuperaço da bolacha

Retificadores sic de alta potência

O retificador de diodo de alta potência é um bloco de apartamentos crítico de circuitos da converso de poder. As revisões recentes de resultados experimentais do retificador so dadas sic nas referências 3, 134, 172, 180, e 181. A maioria de comércio-offs conhecido do retificador de silicone sic da paralela importante do comércio-offs do projeto do dispositivo do retificador de diodo aproximadamente, exceço do fato de que as densidades atuais, as tensões, as densidades de poder, e as velocidades de interruptor so muito mais altas dentro sic. Por exemplo, os retificadores de diodo de Schottky do semicondutor so os dispositivos do portador de maioria que so conhecidos exibir o interruptor muito rápido devido ausência de armazenamento da carga de portador da minoria que domina (isto é, retarda, adversamente tendo por resultado poder e calor waste indesejados) o funcionamento de interruptor de retificadores de junço bipolares do pn. Contudo, o campo alto da diviso e o funcionamento largo da licença do bandgap da energia sic de diodos de Schottky do metal-semicondutor em umas tensões muito mais altas (acima de 1 quilovolt) do que é práticos com os diodos siliconbased de Schottky que so limitados operaço abaixo de ~200 V devido ao escapamento thermionic de uma reverso-polarizaço muito mais alta.

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço materiais, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN em sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades físicas, químicas e elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa ter introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.