tipo de 4H N sic, categoria da pesquisa, 6" tamanho, para aplicações do dispositivo eletrónico do poder

Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:1-10,000pcs
Termos do pagamento:T/T.
Capacidade da fonte:10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega:5-50 dias de trabalho
nome:bolacha do carboneto de silicone do semicondutor
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Xiamen Fujian China
Endereço: #506B, centro de negócios de Henghui, No.77, Lingxia Nan Road, zona alta-tecnologia, Huli, Xiamen 361006, China
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tipo de 4H N sic, categoria da pesquisa, 6" tamanho, para aplicações do dispositivo eletrónico do poder

 

PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6H sic e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produço ao fabricante SiCsubstrate, que é aplicado em GaNepitaxydevice, em powerdevices, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.

 

Mostra aqui a especificaço de detalhe:

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

PolytypeÚnico cristal 4HÚnico cristal 6H
Parmetros da estruturaa=3.076 Åa=3.073 Å
 c=10.053 Åc=15.117 Å
Empilhando a sequênciaABCBABCACB
Faixa-GapeV 3,26eV 3,03
Densidade3,21 · 103 kg/m33,21 · 103 kg/m3
Therm. Coeficiente da expanso4-5×10-6/K4-5×10-6/K
Índice da refraçonenhuns = 2,719nenhuns = 2,707
 ne = 2,777ne = 2,755
Constante dielétrica9,69,66
Condutibilidade térmica490 W/mK490 W/mK
Campo bonde da diviso2-4 · 108 V/m2-4 · 108 V/m
Velocidade de traço da saturaço2,0 · 105 m/s2,0 · 105 m/s
Mobilidade de elétron800 cm2/V·S400 cm2/V·S
mobilidade de furo115 cm2/V·S90 cm2/V·S
Dureza de Mohs~9~9

 

tipo de 4H N sic, categoria da pesquisa, 6" tamanho

PROPRIEDADE DA CARCAÇAS4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430
DescriçoCarcaça da categoria 4H da pesquisa sic
Polytype4H
Dimetro(50,8 ± 0,38) milímetro
Espessura(250 ± 25) μm do μm do μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Tipo do portadorn-tipo
EntorpecenteNitrogênio
Resistividade (RT)0,012 – 0,0028 Ω·cm
Aspereza de superfície< 0="">
FWHM<50 arcsec="">
Densidade de MicropipeA+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientaço de superfície 
Na linha central<0001>± 0.5°
Fora da linha central4°or 8° para <11-20>o ± 0.5°
Orientaço lisa preliminar± 5° da paralela {1-100}
Comprimento liso preliminar± 16,00 1,70) milímetro
Orientaço lisa secundáriaSi-cara: 90° cw. do ± liso 5° da orientaço
C-cara: ccw de 90°. do ± liso 5° da orientaço
Comprimento liso secundário± 8,00 1,70 milímetros
Revestimento de superfícieCara simples ou duplo lustrada
EmpacotamentoÚnica caixa da bolacha ou multi caixa da bolacha
Área útil≥ 90%
Excluso da borda1 milímetro

 

defeitos sic de cristal

A maioria dos defeitos que foram observados dentro sic foram observados igualmente em outros materiais cristalinos. Como as deslocações, as falhas de empilhamento (SFs), os limites (LABs) do baixo ngulo e os gêmeos. Alguns outro aparecem nos materiais que têm a mistura do zing ou a estrutura de Wurtzite, como o IDBs. Micropipes e as inclusões de outras fases aparecem principalmente dentro sic.

 

Índice da refraço:
No sistema ótico o R.I. (ou o índice de refraço) n de uma substncia (meio ótico) so um número que descreva como luz, ou toda a outra radiaço, propagações com esse meio.

O R.I. dos materiais varia com o comprimento de onda. Isto é chamado disperso; causa a rachadura da luz branca nos prismas e nos arcos-íris, e a aberraço cromática nas lentes. O meio de Inopaque, o R.I. é um número complexo: quando a parte real descrever a refraço, a parte imaginária esclarece a absorço.

O conceito do R.I. é amplamente utilizado dentro do espectro eletromagnético completo, dos raios X s ondas de rádio. Pode igualmente ser usado com fenômenos da onda diferentes da luz (por exemplo, som). A velocidade de som é usada neste caso em vez daquela da luz e um meio da referência a no ser o vácuo deve ser escolhido.

Para a luz infra-vermelha os índices refractive podem ser consideravelmente mais altos. O germnio é transparente em um comprimento de onda de 589 nanômetros e tem um R.I. de aproximadamente 4, fazendo lhe um material importante para o sistema ótico infravermelho.

Sic índice da refraço: 2,55 (infravermelho; todos os polytypes)

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tipo de 4H N sic, categoria da pesquisa, 6" tamanho, para aplicações do dispositivo eletrónico do poder

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