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tipo de 4H N sic, categoria da pesquisa, 6" tamanho, para aplicações do dispositivo eletrónico do poder
PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6H sic e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produço ao fabricante SiCsubstrate, que é aplicado em GaNepitaxydevice, em powerdevices, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Mostra aqui a especificaço de detalhe:
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
Polytype | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
Parmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
Therm. Coeficiente da expanso | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Índice da refraço | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
Campo bonde da diviso | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
Velocidade de traço da saturaço | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
tipo de 4H N sic, categoria da pesquisa, 6" tamanho
PROPRIEDADE DA CARCAÇA | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 | |
Descriço | Carcaça da categoria 4H da pesquisa sic | |
Polytype | 4H | |
Dimetro | (50,8 ± 0,38) milímetro | |
Espessura | (250 ± 25) μm do μm do μm (330 ± 25) (430 ± 25) | |
Tipo do portador | n-tipo | |
Entorpecente | Nitrogênio | |
Resistividade (RT) | 0,012 – 0,0028 Ω·cm | |
Aspereza de superfície | < 0=""> | |
FWHM | <50 arcsec=""> | |
Densidade de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
Orientaço de superfície | ||
Na linha central | <0001>± 0.5° | |
Fora da linha central | 4°or 8° para <11-20>o ± 0.5° | |
Orientaço lisa preliminar | ± 5° da paralela {1-100} | |
Comprimento liso preliminar | ± 16,00 1,70) milímetro | |
Orientaço lisa secundária | Si-cara: 90° cw. do ± liso 5° da orientaço | |
C-cara: ccw de 90°. do ± liso 5° da orientaço | ||
Comprimento liso secundário | ± 8,00 1,70 milímetros | |
Revestimento de superfície | Cara simples ou duplo lustrada | |
Empacotamento | Única caixa da bolacha ou multi caixa da bolacha | |
Área útil | ≥ 90% | |
Excluso da borda | 1 milímetro |
defeitos sic de cristal
A maioria dos defeitos que foram observados dentro sic foram observados igualmente em outros materiais cristalinos. Como as deslocações, as falhas de empilhamento (SFs), os limites (LABs) do baixo ngulo e os gêmeos. Alguns outro aparecem nos materiais que têm a mistura do zing ou a estrutura de Wurtzite, como o IDBs. Micropipes e as inclusões de outras fases aparecem principalmente dentro sic.
Índice da refraço:
No sistema ótico o R.I. (ou o índice de refraço) n de uma substncia
(meio ótico) so um número que descreva como luz, ou toda a outra
radiaço, propagações com esse meio.
O R.I. dos materiais varia com o comprimento de onda. Isto é chamado disperso; causa a rachadura da luz branca nos prismas e nos arcos-íris, e a aberraço cromática nas lentes. O meio de Inopaque, o R.I. é um número complexo: quando a parte real descrever a refraço, a parte imaginária esclarece a absorço.
O conceito do R.I. é amplamente utilizado dentro do espectro eletromagnético completo, dos raios X s ondas de rádio. Pode igualmente ser usado com fenômenos da onda diferentes da luz (por exemplo, som). A velocidade de som é usada neste caso em vez daquela da luz e um meio da referência a no ser o vácuo deve ser escolhido.
Para a luz infra-vermelha os índices refractive podem ser consideravelmente mais altos. O germnio é transparente em um comprimento de onda de 589 nanômetros e tem um R.I. de aproximadamente 4, fazendo lhe um material importante para o sistema ótico infravermelho.
Sic índice da refraço: 2,55 (infravermelho; todos os polytypes)