O tipo de N, Si-lubrificou a carcaça do GaAs (arsenieto de gálio), 3", categoria do manequim

N datilografa, a carcaça do GaAs, 3", categoria do manequim

PAM-XIAMEN desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinaço (VGF) e a tecnologia de processamento da bolacha do arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades elétricas exigidas so obtidas adicionando entorpecentes tais como o silicone ou o zinco. O resultado é n-tipo ou p-tipo alto-resistência (>10^7 ohm.cm) ou semicondutores da baixo-resistência (<10 - 2 ohm.cm). As superfícies da bolacha esto geralmente epi-prontas (extremamente - baixa contaminaço) isto é sua qualidade so apropriadas para o uso direto em processos epitaxial.

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD

Propriedades do cristal do GaAs

Que é bolacha do GaAs?

O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto da diferença de faixa de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.

A bolacha do GaAs é um material importante do semiconducor. Pertence para agrupar o semicondutor de composto de III-V. É um tipo estrutura do sphalerite de estrutura com uma constante da estrutura de 5.65x 10-10m, um ponto de derretimento do ℃ 1237 e uma diferença de faixa de 1,4 EV. O arsenieto de gálio pode ser feito semi em isolar materiais altos da resistência com resistividade mais altamente do que o silicone e o germnio por mais de três ordens de grandeza, que podem ser usados para fazer a carcaça do circuito integrado, o detector infravermelho, o detector do foto do γ, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5-6 cronometra maior do que isso do silicone, foi amplamente utilizada em dispositivos da micro-ondas e em circuitos digitais de alta velocidade. O dispositivo de semicondutor feito do GaAs tem as vantagens da resistência da alta frequência, a de alta temperatura e a baixa de temperatura, de baixo nível de ruído e forte de radiaço. Além, pode igualmente ser usado para fazer dispositivos do efeito de maioria.

Que é as propriedades óticas da bolacha do GaAs?

R.I. infravermelho

n = k1/2 = 3,255·(1 + 4,5·10-5T)
para o n= 3,299 de 300 K

Longo-onda energia do fono

hνTO = 33,81·(1 - 5,5·10-5 T) (meV)
para o hνTO de 300 K = meV 33,2

energia do fono da Longo-onda LO

hνLO= 36,57·(1 - 4·10-5 T) (meV)
para o hνLO de 300 K = meV 36,1

Um meV da energia RX1= 4,2 de Rydberg do estado terra

Em 300 K

Para λ~2 µm α =6·10-18 nenhum (cm-1) (nenhum - no cm-1)
Para o λ > 4µm e 1017<no<1018cm-3α ≈ 7,5·10-20no·λ3 (cm-1) (nenhum - em cm-3, λ - µm)

Você está procurando a carcaça do GaAs?

PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do GaAs, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do GaAs você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.