Tipo de N, carcaça do GaAs por VGF, 3", diodos láser da categoria e diodo emissor de luz principais

N datilografa, a carcaça do Gaas, 3", categoria principal

PAM-XIAMEN fornece o único cristal e a bolacha policristalina do GaAs (arsenieto de gálio) para a indústria da ótica electrónica e da microeletrônica para fazer o LD, o diodo emissor de luz, o circuito da micro-ondas e as aplicações da célula solar, as bolachas está na escala do dimetro de 2" a 6" em várias espessuras e orientações. Nós oferecemos a bolacha do GaAs do único cristal produzida por duas técnicas principais LEC do crescimento e por método de VGF, permitindo que nós forneçam clientes a escolha a mais larga do material do GaAs a uniformidade alta de propriedades elétricas e da qualidade de superfície excelente. O arsenieto de gálio pode ser fornecido como os lingotes e a bolacha lustrada, conduzindo e a bolacha deisolamento do GaAs, a categoria mecnica e a categoria pronta esto tudo do epi disponíveis. Nós podemos oferecer a bolacha do GaAs com baixo valor de EPD e a qualidade de superfície alta apropriados para suas aplicações do MOCVD e do MBE. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria do teste, e categoria ótica. Contacte por favor nossa equipe do coordenador para mais informaço da bolacha.

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD

Propriedades do cristal do GaAs

Que é o processo do GaAs?

As bolachas do GaAs devem ser preparadas antes da fabricaço do dispositivo. Para começar, devem completamente ser limpados para remover todo o dano que possa ter ocorrido durante o processo de corte. As bolachas quimicamente mecanicamente so lustradas ento/Plaranrized (CMP) para a fase material final da remoço. Isto permite a realizaço de super-liso espelho-como superfícies com uma aspereza restante em uma escala atômica. Isso é terminado em seguida, a bolacha está pronto para a fabricaço.

O que é a bolacha elétrica do GaAs do propertiesof

Parmetros básicos

Mobilidade e Hall Effect

Fórmula aproximada para a mobilidade de salo

. µn =ΜOH/(1+Nd·10-17) 1/2, onde ΜOH≈9400 (cm2 de V-1 s-1), Nd em cm-3
.

Para o GaAs em temperaturas perto de 300 K, mobilidade de salo do furo

 (cm2V-1s-1), (p - em cm-3)
Para o GaAs fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K, mobilidade de salo
µpH=400 (300/T) 2,3 (cm2 de V-1 s-1).

Em T= 300 K, o fator de Salo no GaAs puro

rH=1.25.

Propriedades de transporte em campos bondes altos

Ionizaço de impacto

Há duas escolas de pensamento em relaço ionizaço de impacto no GaAs.

Primeiro indica que o αi e o βi das taxas da ionizaço de impacto para elétrons e furos no GaAs esto sabidos exatamente bastante para distinguir tais detalhes suteis tais como o anisothropy do αi e do βi para sentidos crystallographic diferentes. Esta aproximaço é descrita em detalhe no trabalho por Dmitriev e outros [1987].

Os segundos focos da escola nos valores do αi e no βi para o mesmo campo bonde relatado por diferente pesquisam diferem por um ordem de grandeza ou mais. Este ponto de vista é explicado por Kyuregyan e por Yurkov [1989]. De acordo com esta aproximaço nós podemos supor esses αi = βi. A fórmula aproximada para a dependência do campo da ionizaço avalia:
αi = β mim =αoexp [δ - (δ2 + (F0/F) 2) 1/2]
onde αo = 0,245·106 cm-1; β = 57,6 FO = 6,65·106 V cm-1 (Kyuregyan e Yurkov [1989]).

Parmetro da recombinaço

Coeficiente Radiative da recombinaço

Coeficiente do eixo helicoidal

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O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

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