Name: Tipo de P bolacha do fosforeto de índio 4 categoria do teste fabricação da bolacha do InP
Brand: PAM-XIAMEN
Price: 1 USD

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Tipo de P, bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria do teste - fabricação da bolacha do InP

Brand Name:PAM-XIAMEN

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XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.

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P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria do teste

PAM-XIAMEN fornece a bolacha do InP do único cristal (fosforeto de índio) para a indústria micro-electrónica (HEMT de HBT/) e opto-eletrônica (diodo emissor de luz/DWDM/PIN/VCSELs) no dimetro até 6 polegadas. O cristal de (InP) do fosforeto de índio é formado por dois elementos, índios e fosforeto, crescimento pelo método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) ou pelo método de VGF. A bolacha do InP é um material importante que têm as propriedades elétricas e térmicas superiores, bolacha do semicondutor do InP tem uma mobilidade de elétron mais alta, uma frequência mais alta, um consumo da baixa potência, uma condutibilidade térmica mais alta e o desempenho de baixo nível de ruído. PAM-XIAMEN pode fornecer a bolacha pronta do InP da categoria do epi para sua aplicaço epitaxial do MOCVD & do MBE.

Contacte por favor nossa equipe do coordenador para mais informaço da bolacha.

P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria do teste

4" especificaço da bolacha do InP
Artigo	Especificações
Tipo da conduço	P-tipo
Entorpecente	Zinco
Dimetro da bolacha	4"
Orientaço da bolacha	100±0.5°
Espessura da bolacha	600±25um
Comprimento liso preliminar	16±2mm
Comprimento liso secundário	8±1mm
Concentraço de portador	≤3x1016cm-3	(0.8-6) x1018cm-3	(0.6-6) x1018cm-3	N/A
Mobilidade	(3.5-4) x103cm2/V.s	(1.5-3.5) x103cm2/V.s	50-70cm2/V.s	>1000cm2/V.s
Resistividade	N/A	N/A	N/A	>0.5x107Ω.cm
EPD	<1000cm-2	<1x103cm-2	<1x103cm-2	<5x103cm-2
TTV	<15um
CURVA	<15um
URDIDURA	<15um
Marcaço do laser	mediante solicitaço
Revestimento de Suface	P/E, P/P
Epi pronto	sim
Pacote	Única recipiente ou gaveta da bolacha

Fatos do fosforeto de índio

O fosforeto de índio (InP) inclui o fósforo e o índio e é um semicondutor binário.
Tem uma estrutura de cristal do zincblende similar a GaAs e a quase todos os semicondutores de III-V.
Tem a velocidade superior do elétron devido a qual é usado na eletrônica de alta frequência e de alta potência.
Tem um bandgap direto, ao contrário de muitos semicondutores.
O fosforeto de índio é usado igualmente como uma carcaça para dispositivos optoelectronic.
Peso molecular: 145,792 g/mol
Ponto de derretimento: °C 1062 (°F) 1943,6
Pode ser usado para virtualmente todo o dispositivo eletrónico que exigir a alta velocidade ou o poder superior.
Tem um dos fono óticos longo-vividos do composto com a estrutura de cristal do zincblende.
O InP é o material o mais importante para a geraço de sinais do laser e da detecço e a converso daqueles sinais de volta ao formulário eletrônico.

	Coloque as dependências da velocidade de traço do elétron no InP, 300 K. A curva contínua é cálculo teórico. A curva precipitada e pontilhada é dados medidos. (Maloney e Frey [1977]) e ( de Gonzalez Sánchez e outros [1992]).
	As dependências do campo da velocidade de traço do elétron para campos bondes altos. T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400. ( do de Windhorn e outros [1983]).
	Coloque dependências da velocidade de traço do elétron em temperaturas diferentes. Curve 1 -77 K ( do de Gonzalez Sánchez e outros [1992]). Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Monte [1975]).
	Temperatura do elétron contra o campo bonde para 77 K e 300 K. (Maloney e Frey [1977])
	Fraço dos elétrons nos vales nL/no e nX/no em funço do campo bonde, 300 K. de L e de X. (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Dependência da frequência do η da eficiência no início (linha contínua) e no segundo (harmônico da linha tracejada) no modo do LSA. Simulaço de Monte - de Carlo. F = FO + F1·pecado (2π·ft) + F2·[pecado (4π·ft) +3π/2], Fo=F1=35 quilovolt cm-1, F2=10.5 quilovolt cm-1 (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Longitudinal (D \|\| F) e transversal (coeficientes de difuso do elétron do ⊥ de D F) em 300 K. Conjunto Monte - simulaço de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).
	Longitudinal (D \|\| F) e transversal (coeficientes de difuso do elétron do ⊥ de D F) em 77K. Conjunto Monte - simulaço de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).

Telecomunicações/aplicaço do Datacom

O fosforeto de índio (InP) é usado para produzir lasers eficientes, fotodetector sensíveis e moduladores na janela do comprimento de onda usada tipicamente para telecomunicações, isto é, 1550 comprimentos de onda do nanômetro, porque é um material direto do semicondutor de composto do bandgap III-V. O comprimento de onda entre aproximadamente 1510 nanômetro e 1600 nanômetro tem a mais baixa atenuaço disponível na fibra ótica (aproximadamente 0,26 dB/km). O InP é um material de uso geral para a geraço de sinais do laser e da detecço e a converso daqueles sinais de volta ao formulário eletrônico. Os dimetros da bolacha variam de 2-4 polegadas.

As aplicações so:

• Conexões de fibra ótica do longo-curso sobre a grande distncia até 5000 quilômetros tipicamente >10 Tbit/s

• Redes do acesso do anel do metro

• Centro das redes e de dados da empresa

• Fibra casa

• Conexões s estações base 3G, LTE e 5G sem fio

• Uma comunicaço satélite de espaço livre

Você está procurando uma carcaça do InP?

PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do InP, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do InP você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

Perfil da empresa

O material avançado Co. de Xiamen Powerway, limitado (PAM-XIAMEN) é uma empresa da alto-tecnologia para o crescimento de cristal do semicondutor do material do semicondutor composto, o desenvolvimento de processo e a epitaxia de integraço, especializando-se na pesquisa e na produço de bolachas de semicondutor composto, lá é o campo dois principal: Material de SiC&GaN (sic bolacha e epitaxia, bolacha de GaN e bolacha do epi) e material de III-V (serviço da carcaça e do epi de III-V: Bolacha do InP, bolacha de GaSb, bolacha do GaAs, bolacha de InAs e bolacha de InSb). Nossas bolachas so amplamente utilizadas na iluminaço do semicondutor do diodo emissor de luz, uma comunicaço sem fio, energias solares, dispositivo infravermelho, laser, detectores e os dispositivos de poder do semicondutor, incluindo dispositivos de poder, dispositivos de alta temperatura e dispositivos fotoelétricos, nisso, bolacha de GaN que incluem GaN no si, GaN sobre sic e GaN na safira so para mini/micro diodo emissor de luz, a eletrônica de poder e a micro-ondas RF.

Como uma empresa profissional principal, nós somos cometidos constantemente a melhorar a qualidade de produtos existentes. PAM-XIAMEN tem uma equipe técnica forte de R & de D, composta dos alunos diplomados, doutores, mestres, e tem uma força forte de R & de D. A espinha dorsal técnica da empresa foi contratada na preparaço material e projeto e desenvolvimento relacionados do equipamento para quase 30years, e tem a pesquisa detalhada sobre as propriedades do exame, as químicas e as elétricas dos materiais, processo material da preparaço. A acumulaço de muitos anos de depósito teórico e de experiência prática de pessoais científicos e tecnologicos faz a empresa tem introspecções originais e vantagens originais no desenvolvimento de materiais e do equipamento relevantes, ao assegurar-se de que o esquema do projeto do desempenho e do equipamento de produto da empresa encontre as necessidades técnicas e tecnologicos reais de usuários.

Etiquetas de Produtos:

Wafer de fosfeto de índio Wafer inp Especificações das bolhas de silício

Tipo de P, bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria do teste - fabricação da bolacha do InP

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